[实用新型]晶圆花篮有效
申请号: | 202021859054.0 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN212725259U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 张小永;刘哲伟;张宝庆;马南;要博卿;王慧杰;朱道峰 | 申请(专利权)人: | 北京市塑料研究所 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李文丽 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 花篮 | ||
本实用新型实施例提供一种晶圆花篮,包括:第一端面结构、第二端面结构和侧面结构,第一端面结构和第二端面结构的轮廓相同,侧面结构位于第一端面结构和第二端面结构的两侧,并连接于第一端面结构和第二端面结构之间。本实用新型实施例提供的一种晶圆花篮,采用了第一端面结构和第二端面结构为相同轮廓设计,即正、反面为相同形状,使得生产设备对晶圆花篮的正反面都可以进行识别定位,从而对晶圆进行刻蚀、光刻、镀膜等不同工艺。针对需要双面制程的晶圆,采用本实用新型实施例的晶圆花篮,可无需将晶圆取下,可将晶圆花篮整体翻转实现晶圆的双面制程,避免了晶圆在翻转过程中损坏,提高了生产效率。
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种晶圆花篮。
背景技术
随着集成电路行业不断技术革新及不同工艺的要求,现阶段晶圆(硅片)在生产过程中需要对上下双表面都进行刻蚀、光刻、镀膜等不同工艺。传统的晶圆承载花篮结构(以下简称:单H型晶圆花篮)通常为一侧H型,一侧平板或U型,另外两侧为齿形结构,即如图1所示。这种单H型的设计中,H型结构用于与不同生产设备配合定位,另一侧的平板或U型结构主要作用是为了提高花篮整体结构的强度。
针对一些需要双面制程的晶圆产品,需要对晶圆的上、下两面都实施生产制程工序,传统的单H型晶圆花篮在利用H型结构面作为定位面生产完晶圆的一面后,需要将晶圆从花篮中取出,将晶圆翻转到另一面朝上后,再放入到晶圆花篮中进行第二次生产工序,在完成晶圆翻转过程中容易造成晶圆表面划伤问题,影响了碎片率,翻转晶圆的工序也降低了生产效率。而对于单H型晶圆花篮,由于一般的生产设备只能识别H型结构,无法识别平板或U型结构,因此,只能采用将晶圆取出并翻转的方式来实现双面制程,而无法通过翻转单H型晶圆花篮的方式来实现晶圆的双面制程。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种晶圆花篮,用以解决现有技术中只能通过将晶圆从晶圆花篮取出并翻转来完成双面制程的缺陷,不需要取出晶圆,仅通过翻转晶圆花篮来实现晶圆的双面制程。
本实用新型实施例提供一种晶圆花篮,包括:第一端面结构、第二端面结构和侧面结构,所述第一端面结构和所述第二端面结构的轮廓相同,所述侧面结构位于所述第一端面结构和所述第二端面结构的两侧,并连接于所述第一端面结构和所述第二端面结构之间。
其中,所述第一端面结构和所述第二端面结构均为H型结构。
其中,所述侧面结构包括多个齿槽。
其中,相对所述侧面结构之间的齿槽相距距离为27厘米或40厘米。
其中,所述H型结构包括第一立柱、第二立柱和横梁,所述横梁水平设置,所述第一立柱和所述第二立柱分别立设于所述横梁的两端,且所述横梁的两端连接于所述第一立柱和所述第二立柱沿长度方向上的中心位置。
其中,还包括加强筋,所述加强筋水平固定于所述横梁的表面,且所述加强筋的两端支撑于所述第一立柱和所述第二立柱之间。
其中,所述第一端面结构、所述第二端面结构和所述侧面结构为聚醚醚酮结构、聚醚酰亚胺结构和聚对苯二甲酸四次甲基酯结构其中的一种。
本实用新型实施例提供的一种晶圆花篮,采用了第一端面结构和第二端面结构为相同轮廓设计,即正、反面为相同形状,使得生产设备对晶圆花篮的正反面都可以进行识别定位,从而对晶圆进行刻蚀、光刻、镀膜等不同工艺。针对需要双面制程的晶圆,采用本实用新型实施例的晶圆花篮,可无需将晶圆取下,可将晶圆花篮整体翻转实现晶圆的双面制程,避免了晶圆在翻转过程中损坏,提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造