[实用新型]一种IGBT驱动过流保护电路和空调器有效
| 申请号: | 202021858084.X | 申请日: | 2020-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN213395805U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
| 发明(设计)人: | 牛建勇;牟宗娥;陈建兵 | 申请(专利权)人: | 海信(山东)空调有限公司 |
| 主分类号: | F24F11/88 | 分类号: | F24F11/88;H03K17/08;H03K17/567 |
| 代理公司: | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人: | 龚家骅 |
| 地址: | 266700 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 igbt 驱动 保护 电路 空调器 | ||
本实用新型公开了一种IGBT驱动过流保护电路和空调器,该电路包括用于对IGBT的发射极参数进行采样并产生采样电压的采样单元,以及用于在所述采样电压超过预设电压阈值时关断所述IGBT的保护单元,所述采样单元的第一端和所述保护单元的第一端共接于所述IGBT的发射极,所述采样单元的第二端和所述保护单元的第二端的共接点接地,所述保护单元的第三端连接驱动芯片的输出端,从而进一步提高了IGBT过流保护的快速性和可靠性。
技术领域
本申请涉及空调控制领域,更具体地,涉及一种IGBT驱动过流保护电路和空调器。
背景技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是由 BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
目前空调产品的失效率排在前三位的都是功率器件,特别是IGBT,一直排名在功率器件失效前两位,所以急需解决IGBT的失效问题,而功率器件的失效模式有3种:过流、过压和过热。
为避免因过流导致IGBT失效,如图2所示为现有技术中IGBT驱动过流保护电路,IGBT发射极串联一个采样电阻RS,MCU通过采样RS的电压来计算电流值,当电流值超过设定的阈值Iref时,MCU就会切断控制 IGBT的PWM信号输出,从而达到保护IGBT的目的,但是这种方式的缺点是速度慢、不够直接,由于MCU采样运算需要时间t1,驱动IC的延时时间为t2,这样保护的反应时间为t=t1+t2,这个时间是比较长的,有些情况可能来不及保护,导致IGBT过流损坏。
因此,如何提供一种IGBT驱动过流保护电路,进一步提高IGBT过流保护的快速性和可靠性,是目前有待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种IGBT驱动过流保护电路,用以解决现有技术中 IGBT驱动过流保护电路存在动作速度慢,容易导致IGBT过流损坏的技术问题。
所述电路包括:
采样单元,用于对IGBT的发射极参数进行采样,并产生采样电压;
保护单元,用于在所述采样电压超过预设电压阈值时关断所述IGBT;
所述采样单元的第一端和所述保护单元的第一端共接于所述IGBT的发射极,所述采样单元的第二端和所述保护单元的第二端的共接点接地,所述保护单元的第三端连接驱动芯片的输出端,所述驱动芯片的输出端用于向所述IGBT发送PWM信号。
在本申请一些实施例中,所述保护单元还包括三极管、第一电阻和第二电阻,其中,
所述第一电阻的第一端为所述保护单元的第一端,所述第一电阻的第二端和所述第二电阻的第一端共接于所述三极管的基极,所述第二电阻的第二端和所述三极管的发射极共接于所述保护单元的第二端,所述三极管的集电极为所述保护单元的第三端。
在本申请一些实施例中,所述采样单元包括采样电阻,其中,所述采样电阻的第一端为所述采样单元的第一端,所述采样电阻的第二端为所述采样单元的第二端。
在本申请一些实施例中,所述预设电压阈值是根据预设电流阈值和所述采样电阻的阻值确定的,所述预设电压阈值为0.7V。
相应的,本实用新型还提出了一种空调器,包括如上所述的IGBT驱动过流保护电路,还包括:
冷媒循环回路,使冷媒在压缩机、冷凝器、膨胀阀、蒸发器、四通阀和减压器组成回路中进行循环;
压缩机,用于进行将低温低压冷媒气体压缩成高温高压冷媒气体并排至冷凝器的工作;
室外热交换器和室内热交换器,其中,一个为冷凝器进行工作,另一个为蒸发器进行工作;
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