[实用新型]掩模板

说明书

本实用新型公开了一种掩模板，其包括透光基板、吸光膜及掩模保护膜；透光基板的下侧面中间区域为图形区，外围区域为接触区域；图形区及接触区域分别覆盖有相应形状的吸光膜；图形区同接触区域之间的吸光膜断开并构成一防静电环；掩模保护膜为透明薄膜，蒙贴在一个掩模板保护膜框的下侧；掩模板保护膜框不透光；掩模板保护膜框端的形状同防静电环一致；掩模板保护膜框上端的壁厚大于或等于防静电环的线宽度；掩模板保护膜框上端对应于防静电环粘贴在透光基板下侧面，遮挡防静电环。步进‑扫描式光刻机采用该掩模板投影时可以完全消除防静电环的投影对晶圆对应图形区的线宽影响。

技术领域

本实用新型涉及集成电路版图技术，具体涉及一种消掩模板。

背景技术

光刻是集成电路制造过程中的一道关键工艺，它利用光化学反应原理把事先制备在掩模板上的图形转印到晶圆(wafer)上。光刻机是光刻过程中的核心设备，曝光时，光刻机内经过处理后的平行激光照射到掩模板上，通过透镜把掩模板上的图形投射到光刻胶上，激发光化学反应。随着光刻技术的进步，光刻机从一开始的接触式曝光发展到步进-扫描式曝光。步进-扫描式曝光方式中掩模板和晶圆不直接接触，中间间隔了很多的透镜，以保证投影图形的质量和缩小倍率。

掩模板是由石英玻璃板1、吸光膜2和掩模保护膜3组成，如图1所示，石英玻璃板1作为基板，具有非常高的透光性。吸光膜2作为图形载体，主要是铬膜(Cr)或者硅化钼(MoSi)材质。在掩模板上有吸光膜2的区域会阻挡光穿透，而没有吸光膜2的区域光会透过并照射到晶圆表面与表面的光刻胶发生光化学反应，达到从掩模板转移图形到晶圆表面的目的。掩模保护膜3是一层透过率很高的透明薄膜，它蒙贴在一个掩模板保护膜框(铝合金框架)4上，再用胶水黏贴到石英玻璃板1上。掩模板保护膜3的作用是防止灰尘掉落在掩模板有图形的一侧。

掩模板吸光膜2作为图形材质，通常采用铬膜Cr或者硅化钼膜MoSi，它们都是金属导电材质。在密集图形区，两个不连通的大块铬膜在某个较小区域靠的非常近的情况下，如果被静电带上电荷，非常容易触发尖端放电，造成附近的铬膜被烧坏，从而使形成的图形完全变形甚至直接导通，电荷的来源绝大部分是从掩模板以外接触物体传导到掩模板上的，例如掩模板存放的盒子、曝光时掩模板承载台等。为了减少外围电荷传导到掩模板图形区，设计时在掩模板外围非图形区域挖一条比较宽的无铬膜带，把内部图形区22吸光膜2和外围接触区域21吸光膜2隔离开，这样外边电荷就无法传导到内部。这条无铬膜带就叫防静电环(ESD ring)6，如图2所示。目前业界掩模板的防静电环(ESD ring)位于掩模板保护膜框(铝合金框架)4的内侧或外侧，是分开设置的。

步进-扫描式光刻机的投影方式如图3、图4所示，从光源发出的光在照射到掩模板前，先被掩模板挡板(mask blind)81把掩模板外围不需要转移图形到晶圆84上的区域遮挡掉，需要曝光的区域光透过掩模板以后再通过镜头82、掩模板及透镜83投影到晶圆84表面。防静电环(ESD ring)6作为掩模板外围图形不能被曝光。

然而光刻机镜头82在使用一段时间后，镜头82表面会逐渐凝结一定的结晶物，导致镜头82雾化。光照到这样有雾化的镜头82表面就会产生反射，这些反射光通过掩模板挡板81下表面反射到镜头82内穿透防静电环(ESD ring)6，投影到晶圆84表面，造成被照射区域接收的光多于正常区域，晶圆84表面的图形被二次曝光，如附图5所示。实验结果表明，晶圆84被防静电环(ESD ring)6二次投影的区域线宽比正常区域线宽大3nm左右，影响图形均一性。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种掩模板，步进-扫描式光刻机采用该掩模板投影时可以完全消除防静电环的投影对晶圆对应图形区的线宽影响。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的掩模板，其包括透光基板1、吸光膜2及掩模保护膜3；

所述透光基板1的下侧面中间区域为图形区22，外围区域为接触区域21；

图形区22及接触区域21分别覆盖有相应形状的吸光膜2；