[实用新型]一种用于晶片的开沟槽装置

说明书

本实用新型公开了一种用于晶片的开沟槽装置，包括开沟槽体、冷却槽体、举升机构和转动架，冷却槽体设置在开沟槽体的侧部，举升机构安装在开沟槽体的顶端，转动架转动安装在举升机构的端部，冷却槽体的内部设置有第一制冷盘管；举升机构包括竖板、转动轴、第一电机和举升臂；转动架包括两个相对间隔设置的侧板、连接在两个侧板底部之间的底板以及连接在两个侧板顶部之间的固定杆，底板顶部的左右两端分别设置有挡板。本实用新型针对现有技术中用于晶片的开沟槽装置不能很好的维持酸腐蚀液的温度，腐蚀出的沟槽深度一致性差，晶片的质量低等问题进行改进，本实用新型具有很好的维持酸腐蚀液的温度、腐蚀出的沟槽深度一致、提升晶片的质量等优点。

技术领域

本实用新型涉及晶片加工技术领域，尤其涉及一种用于晶片的开沟槽装置。

背景技术

晶片一般是由单晶硅切割成的薄片，直径有6英寸、8英寸、12英寸等规格，主要用来生产集成电路，晶片只是原料，必须经过后面一系列的加工精处理才能够被电子元器件所使用。而在晶片的加工过程中往往需要根据要求在晶片的表面开设沟槽，现有技术中晶片表面的沟槽一般通过化学腐蚀加工形成，化学腐蚀的过程如下：先在晶片的两面涂附一层负光阻剂，然后将晶片放置在有图案的麦拉胶片中通过感光，形成光的折射(负光阻剂具有光折射的功能)，从而将麦拉胶片上的图案折射至晶片两面的负光阻剂上，在晶片两面的负光阻剂上形成线条，线条的位置即是我们需要开沟槽的位置，然后通过显影剂将晶片上有线条部分的负光阻剂去除，再通过定影剂使线条平直，然后将晶片放置于酸腐蚀液中，从而晶片两面需要开沟槽的位置由于没有负光阻剂的保护而被酸液腐蚀出沟槽。

现有技术中用于晶片的开沟槽装置存在一些不足和缺陷，晶片的化学腐蚀过程中往往对酸液的温度具有一定的要求，酸液的温度不能太高，现有的晶片开沟槽装置对酸液的冷却效果差，产品放入酸液中一段时间后，酸液的温度会迅速上升，从而影响了酸腐蚀的过程，并且需要等待酸液温度冷却至一定范围内才可继续工作，影响了生产的效率，另外，现有的用于晶片的开沟槽装置在对晶片进行酸腐蚀时，晶片往往竖直插在晶片架上，然后将晶片架固定在开沟槽体内的搁架上，依靠搁架的前后摆动来推动酸液的流动对晶片的表面进行腐蚀，从而晶片表面不同位置与酸液接触产生的阻力大小不同，从而导致晶片表面腐蚀出的沟槽深度一致性较差，且误差最高可达10μm，在酸腐蚀后不能及时的将晶片表面粘附的酸液清洗去除，严重影响了晶片的质量。

针对以上技术问题，本实用新型公开了一种用于晶片的开沟槽装置，本实用新型具有便于维持酸液温度、提高生产效率、腐蚀出的沟槽深度均匀性好、沟槽深度误差较小、及时对酸液进行去除、提升晶片的质量等优点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种用于晶片的开沟槽装置，以解决现有技术中用于晶片的开沟槽装置不能很好的维持酸液的温度，生产效率低，腐蚀出的沟槽深度一致形差，误差大，酸腐蚀后不能及时的将晶片表面粘附的酸液清洗去除，晶片的质量低等技术问题，本实用新型具有便于维持酸液温度、提高生产效率、腐蚀出的沟槽深度均匀性好、沟槽深度误差较小、及时对酸液进行去除、提升晶片的质量等优点。