[实用新型]带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET有效
| 申请号： | 202021831014.5 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN213366599U | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张梓豪;黄兴;陈欣璐 | 申请（专利权）人： | 派恩杰半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市滨江区浦*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 栅极 沟槽 结构 碳化硅 mosfet | ||
1.一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：
碳化硅衬底(101)；
碳化硅衬底(101)上生长的碳化硅外延层(102)；
所述碳化硅衬底(101)背面覆盖的漏极金属电极(110)；
所述碳化硅外延层(102)上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层(107)，氧化层(107)上设有的栅极金属电极(108)；
在碳化硅外延层(102)上设有的源极注入区(104)，所述源极注入区(104)的掺杂类型为第一导电类型；
所述源极注入区(104)上覆盖有的源极金属电极(109)；在碳化硅外延层(102)上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区(103)，保护注入区(106)和改善注入区(105)，所述阻断注入区(103)的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区(105)的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区(106)为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区(103)与源极注入区(104)相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区(106)设置在栅极金属电极(108)下方。
2.如权利要求1所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，进一步包括一个或多个改善电场分布注入区(111)，改善电场分布注入区(111)为重掺杂的第二导电类型。
3.如权利要求2所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，若改善电场分布注入区(111)设置有多个时，改善电场分布注入区(111)之间的距离根据需要调节设置。
4.如权利要求1至3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善注入区(105)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈平行设置。
5.如权利要求2或3所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善电场分布注入区(111)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈平行设置。
6.如权利要求1至3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善注入区(105)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈垂直设置。
7.如权利要求2或3任一所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述改善电场分布注入区(111)与栅极金属电极(108)在俯视截面上呈垂直设置。
8.如权利要求1所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述碳化硅衬底(101)的掺杂类型为第一导电类型。
9.如权利要求1所述的带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，其特征在于，所述碳化硅外延层(102)掺杂类型为第一导电类型。
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