[实用新型]一种半导体结构

说明书

本实用新型涉及一种半导体结构。其包括第一临时衬底；设置于第一临时衬底上的粘接层，粘接层被目标激光照射后分解；粘性溶解层，粘性溶解层设置于粘接层上，直接与粘接层接触，且能够被目标溶剂所溶解；以及芯片主体，粘性溶解层设置于芯片主体的出光侧；当第一临时衬底被目标激光剥离之后，可以通过目标溶剂溶解粘性溶解层，以使粘接层从半导体结构上脱离。在微型发光芯片制作时，能够借助简单的步骤将半导体结构上残留的粘接层完全去除，有利于避免残留的粘接层对微型发光芯片的光造成阻挡，利用提升最终制作的微型发光芯片的出光质量。

技术领域

本实用新型涉及微型发光芯片领域，尤其涉及一种半导体结构。

背景技术

微型发光二极管(Micro-LED)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示。

现有技术，通过在生长基板上生长出外延层，将外延层转移到基板上进行加工和构造以制造出微型发光二极管芯片，再将微型发光二极管芯片转移至最终的基板上。然而，现有的制造方式在一些情况下会导致微型发光二极管芯片存在着出光效果不理想的问题。

因此，如何保证微型发光二极管芯片的出光质量是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种半导体结构，旨在解决现有的微型发光二极管芯片在一些情况下存在着出光效果不理想的问题。

一种半导体结构，包括：

第一临时衬底；

设置于所述第一临时衬底上的粘接层，所述粘接层被目标激光照射后分解；

粘性溶解层，所述粘性溶解层设置于所述粘接层上，直接与所述粘接层接触，且能够被目标溶剂所溶解；

以及芯片主体，所述粘性溶解层设置于所述芯片主体的出光侧。

上述半导体结构，通过在粘接层与芯片主体之间设置有粘性溶解层，该粘性溶解层可以被目标溶剂所溶解，因此，使用上述半导体结构进行微型发光芯片制作时，仅需要使用目标溶剂即可将粘接层完全去除，简单可靠，由于粘接层能够被容易且可靠的去除，因而有利于避免粘接层的残留对微型发光芯片的光阻挡，利于提升最终制作出的微型发光芯片的出光质量。

可选地，所述芯片主体包括：

第一半导体层；

多量子阱发光层，设置于所述第一半导体层上；

第二半导体层，设置于所述多量子阱发光层上；

电流扩散层，设置于所述第二半导体层上，且所述粘性溶解层设于所述电流扩散层上。

可选地，所述芯片主体还包括：

第一电极，设置于所述第一半导体层上，并远离所述粘接层；

第二电极，设置于所述电流扩散层上，并远离所述粘接层，所述电流扩散层的面积大于所述第一半导体层、多量子阱发光层以及第二半导体层的任一者，所述第二电极通过所述电流扩散层与所述第二半导体层实现电连接。

可选的，所述第一临时衬底为蓝宝石衬底，所述粘接层包括苯并环丁烯材料。

可选的，所述粘性溶解层的面积不小于所述芯片主体的出光侧的面积，且所述芯片主体的出光侧完全与所述粘性溶解层接触。

芯片主体的出光侧完全与粘性溶解层解除，进一步避免粘接层的材料与芯片主体的出光侧直接粘附。

可选的，所述粘性溶解层的粘性不小于所述粘接层的粘性。

使用粘性不小于粘接层的材料作为粘性溶解层，避免半导体结构整体的强度下降。