[实用新型]一种用于透光晶圆的载具有效
申请号: | 202021814484.0 | 申请日: | 2020-08-26 |
公开(公告)号: | CN212648207U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 刘晓靖;田红林;陈兆震 | 申请(专利权)人: | 北京燕东微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 100176 北京市大兴区经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 透光 | ||
本实用新型公开一种用于透光晶圆的载具,包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体,不透光主体的表面凹陷形成用于容置透光晶圆的容置槽。本实用新型提供的载具,由于其主体结构呈不透明状,所以承载有透光晶圆的载具也不透明,这样使得现有硅晶圆等不透光晶圆加工产线中的传输系统能够直接用于碳化硅晶圆等透光晶圆的传送,而无需对现有不透光晶圆加工产线进行较复杂和较高费用的改造或更新。
技术领域
本实用新型属于半导体器件制造技术领域。更具体地,涉及一种用于透光晶圆的载具,尤其涉及一种用于碳化硅晶圆加工产线的载具。
背景技术
碳化硅材料因具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐照能力强、化学稳定性好等特性,使其在功率器件、电力电子器件等领域得到了广泛的应用。
不同于硅晶圆、磷化铟(InP)晶圆、砷化镓(GaAs)晶圆、氮化镓(GaN)等不透光晶圆,碳化硅晶圆呈透明或半透明状,即使是带有外延层的碳化硅晶圆,也基本为半透明。所以针对碳化硅晶圆的加工工艺、加工设备甚至整个加工产线均有其特殊之处。
以传输系统为例,目前硅晶圆、磷化铟晶圆等不透光晶圆加工产线中的传输系统,主要包括光学定位机构和传送机构。其中光学定位机构由光发射器、光接收器和控制模块构成,大致工作原理为:光发射器所发出的光照射到晶圆上,由于晶圆不透明,因此控制模块可根据光接收器是否接收到透射光来确定晶圆传送盒内是否承载有晶圆,并据此判定是否需要进行晶圆传送。而由于碳化硅晶圆可透光,所以针对不透光晶圆的光学定位机构很难准确判断晶圆传送盒内是否有待传送的碳化硅晶圆。目前专门针对碳化硅晶圆等透光晶圆的光学定位机构,包括两个光接收器,分别用于接收透射光和反射光,控制模块根据两个光接收器所接收到的透射光和反射光的情况判断晶圆传送盒内是否承载有待传送的透光晶圆。
而在实际生产中,搭建专门针对碳化硅器件的加工产线需要非常高的经济成本和时间成本,所以目前绝大多数半导体企业是采用对已有传统不透光晶圆的加工产线进行改造的方式,以兼容碳化硅晶圆,但同样需要付出相当高的经济成本。此外,由于目前业内主流的硅晶圆加工尺寸为八英寸和十二英寸,而主流的碳化硅晶圆的尺寸一般为四英寸和六英寸,这进一步增大了加工产线的改造难度。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型的目的在于提供一种用于透光晶圆的载具,利用该载具能够在现有的硅晶圆等传统不透光晶圆的加工产线上运送碳化硅晶圆等透光晶圆,从而能够降低传统不透光晶圆加工产线的改造难度和改造成本。
为实现上述目的,本实用新型提供的一种用于透光晶圆的载具,包括适配于不透光晶圆加工产线的不透光主体,该不透光主体的表面凹陷形成用于容置透光晶圆的容置槽。
优选地,不透光主体的外侧边缘设有定位缺口或定位边。
优选地,不透光主体由不透光晶圆制成,容置槽是在不透光晶圆表面形成的凹槽。
优选地,透光晶圆为碳化硅晶圆,不透光晶圆为硅晶圆。
优选地,沿平行于不透光主体的表面,容置槽呈圆形或多边形,且容置槽的尺寸与透光晶圆的直径相适配。
优选地,容置槽的边缘设有至少一个用于取放透光晶圆的取放口。
优选地,取放口的深度大于或等于容置槽的深度。
优选地,沿平行于不透光主体的表面,容置槽为长方形或正方形。
优选地,呈多边形的容置槽的相邻两条边的相交处设有一个或多个凸角,凸角朝向容置槽的中心。
优选地,容置槽的深度与透光晶圆的厚度之间的差值不超过50微米。
本实用新型的有益效果如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造