[实用新型]一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路

权利要求书

1.一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，包括地信号B-、电源L3.3V、地信号B11-、电源H3.3V，其特征在于，还包括若干个BMS AFE IC电路、单片机MCU(3)，所述若干个BMS AFE IC电路连接单片机MCU(3)，所述单片机MCU(3)连接地信号B-，所述单片机MCU(3)还连接电源L3.3V,所述BMS AFE IC电路包括20串电池、1颗高边BMS AFE IC芯片(1)、1颗低边BMS AFE IC芯片(2)、2个IIC通讯隔离电路，所述20串电池依次串联，所述高边BMS AFEIC芯片(1)、低边BMS AFE IC芯片(2)都与20串电池连接，所述高边BMS AFE IC芯片(1)与低边BMS AFE IC芯片(2)相连接，所述高边BMS AFE IC芯片(1)通过2个IIC通讯隔离电路与单片机MCU(3)连接，所述高边BMS AFE IC芯片(1)连接地信号B11-，所述高边BMS AFE IC芯片(1)还连接电源H3.3V,所述低边BMS AFE IC芯片(2)连接地信号B-，所述低边BMS AFE IC芯片(2)还连接电源L3.3V,所述地信号B11-相对于地信号B-为高压,所述电源H3.3V相对于电源L3.3V为高压。

2.根据权利要求1所述一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，其特征在于，所述高边BMS AFE IC芯片(1)设有H_SDA端、H_SCL端，所述单片机MCU(3)设有L_SDA端、L_SCL端。

3.根据权利要求1所述一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，其特征在于，所述IIC通讯隔离电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5，所述电阻R1的一端连接电源H3.3V，所述电阻R1的另一端连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极连接电源L3.3V，所述三极管Q1的发射极通过电阻R4连接三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的发射极连接地信号B-，所述三极管Q2的基极通过电阻R5连接地信号B-，所述三极管Q1的集电极通过电阻R3连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极连接地信号B11-，所述三极管Q3的发射极连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的集电极连接三极管Q2的基极，所述三极管Q4的发射极通过电阻R2连接电源H3.3V，所述2个IIC通讯隔离电路为第一IIC通讯隔离电路(42)、第二IIC通讯隔离电路(41)。

4.根据权利要求3所述一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，其特征在于，所述第一IIC通讯隔离电路(42)中的三极管Q2的集电极连接L_SCL端，所述三极管Q3的发射极连接H_SCL端。

5.根据权利要求3所述一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，其特征在于，所述第二IIC通讯隔离电路(41)中的三极管Q2的集电极连接L_SDA端，所述三极管Q3的发射极连接H_SDA端。

6.根据权利要求3所述一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，其特征在于，所述三极管Q1、三极管Q2都为NPN三极管，所述三极管Q3、三极管Q4都为PNP三极管。

7.根据权利要求1所述一种用于多颗BMS AFE IC串联的IIC隔离电路，其特征在于，所述BMS AFE IC电路为一个。