[实用新型]一种同步整流电路的驱动电路有效
| 申请号: | 202021792483.0 | 申请日: | 2020-08-25 |
| 公开(公告)号: | CN212588275U | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
| 发明(设计)人: | 孙伟;张志成;冯刚 | 申请(专利权)人: | 广州金升阳科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 510663 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 同步 整流 电路 驱动 | ||
本实用新型涉及一种同步整流电路的驱动电路,包括用于同步整流的开关管Q4和开关管Q5、驱动绕组以及副边绕组,开关管Q4的漏极连接副边绕组的非同名端,开关管Q4的栅极作为驱动端口GC,开关管Q5的漏极连接副边绕组的同名端,且作为检测端口AW3,开关管Q5的栅极作为驱动端口GD,驱动绕组的同名端为绕组端口AW1,驱动绕组的非同名端为绕组端口AW2,还包括集成电路驱动电路,集成电路驱动电路包括集成电路U1、第一驱动电路、第二驱动电路、稳压电路和延迟关断电路。本实用新型解决的技术问题是实现开关管Q4、Q5的交替互补导通,防止高频下两开关管的共通;拓扑轻、空载时,及时关断开关管,减小损耗,提高拓扑全面性能和稳定性。
技术领域
本实用新型涉及同步整流领域,特别涉及一种同步整流电路的驱动电路。
背景技术
由于MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)技术于二十世纪末开始大幅进步,促使同步整流技术被引入到开关电源领域,给开关电源的效率与温升带来了巨大改善,甚至可以与软开关技术一较高下。同步整流技术在开关电源领域得到广泛的应用,也已经成为现代开关电源技术的标志,高水平的开关电源几乎都使用同步整流技术。目前使用的同步整流技术有自驱动方式的同步整流、控制IC方式的同步整流和辅助绕组方式的同步整流。
现有辅助绕组方式的同步整流在轻空载时,绕组电压仍然能够维持同步整流MOS管导通,造成其轻空载时损耗大;现有的芯片它驱双管驱动技术在高频模式下极易共通。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型要解决的技术问题是提出一种同步整流电路的驱动电路,减少辅助绕组方式的同步整流电路轻空载时的损耗,防止控制IC方式的同步整流在同时控制两个开关管时出现高频共通,有效克服现有的重大缺陷,提高系统的全面性能和稳定性。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的技术方案如下:
一种同步整流电路的驱动电路,包括用于同步整流的开关管Q4和开关管Q5、驱动绕组以及副边绕组,开关管Q4的漏极连接副边绕组的非同名端,开关管Q4的栅极作为驱动端口GC,开关管Q5的漏极连接副边绕组的同名端,且作为检测端口AW3,开关管Q5的栅极作为驱动端口GD,驱动绕组的同名端为绕组端口AW1,驱动绕组的非同名端为绕组端口AW2,还包括集成电路驱动电路,集成电路驱动电路包括集成电路U1、第一驱动电路、第二驱动电路、稳压电路和延迟关断电路。
集成电路U1用于根据其采样引脚采样到的电压,通过其驱动输出引脚输出不同电平的电压给第一驱动电路和第二驱动电路,当采样到的电压为负压时,输出的电压为高电平,当采样到的电压为零或正向电压时,输出的电压为低电平,集成电路U1的采样引脚接检测端口AW3,开关管Q4的源极和开关管Q5的源极接集成电路U1的引脚GND,第一驱动电路用于控制开关管Q5的导通与关断,第一驱动电路的第一输入端接集成电路U1的驱动输出引脚,第一驱动电路的第二输入端接绕组端口AW2,第一驱动电路的输出端接驱动端口GD。
第二驱动电路用于控制开关管Q4的导通与关断,第二驱动电路的输入端接集成电路U1的驱动输出引脚,第二驱动电路的输出端接驱动端口GC。
稳压电路用于为第二驱动电路提供导通电压,稳压电路的稳压端接入第二驱动电路,稳压电路的地端接集成电路U1的引脚GND。
延迟关断电路用于在绕组端口AW2输出的电压逐渐减小过程中,后于开关管Q5关断,确保开关管Q5在绕组端口AW1输出高电平的电压导通开关管Q4时处于关断状态,延迟关断电路的第一输入端接绕组端口AW1,延迟关断电路的第二输入端接绕组端口AW2,延迟关断电路的输出端接入第二驱动电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州金升阳科技有限公司,未经广州金升阳科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021792483.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





