[实用新型]一种半导体制造用真空阀活塞装置

权利要求书

1.一种半导体制造用真空阀活塞装置，包括真空阀活塞，其特征在于：所述真空阀活塞包括位于上方的顶部活塞(1)和位于下方的底部活塞(2)，所述顶部活塞(1)的外围加工成型有环形槽(3)，所述环形槽(3)内套嵌有耐磨环(4)，所述底部活塞(2)的外围对称开设有两组镶嵌槽(5)，两组所述镶嵌槽(5)内均套嵌有氟橡胶O形圈(6)，位于上方的所述氟橡胶O形圈(6)与耐磨环(4)之间形成有环形口(7)，所述环形口(7)内套嵌有隔垫(8)，所述隔垫(8)位于顶部活塞(1)与底部活塞(2)之间，所述底部活塞(2)的底部对称开设有两组卡槽(9)，两组所述卡槽(9)之间连接有垫块(10)，所述垫块(10)包裹于底部活塞(2)的底部且两端固定于卡槽(9)内，所述真空阀活塞的顶部从外到内加工成型环形对接槽一(11)和环形对接槽二(12)，所述环形对接槽一(11)与环形对接槽二(12)之间形成有对接卡环(13)，所述环形对接槽二(12)的中部设置有穿口(14)，所述穿口(14)纵向开设于真空阀活塞的内部，所述真空阀活塞的底部与顶部结构相同。

2.根据权利要求1所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：所述耐磨环(4)采用聚酯纤维合成数值材料且厚度大于环形槽(3)的深度，所述耐磨环(4)上开设有开口，位于所述开口两侧的耐磨环(4)成型有端口(15)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：两组所述端口(15)呈倾斜状结构且之间热熔连接。

4.根据权利要求1所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：所述环形对接槽一(11)与环形对接槽二(12)的深度相同，所述环形对接槽二(12)的直径大于环形对接槽二(12)的直径。

5.根据权利要求1所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：所述顶部活塞(1)的底部加工成型有凸块(16)，所述底部活塞(2)的顶部加工成型有凹槽(17)，所述凸块(16)与凹槽(17)相契合。

6.根据权利要求1所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：所述垫块(10)的两端加工成型有固定块(18)，所述固定块(18)呈向上凸起的球状结构且夹置于卡槽(9)内。

7.根据权利要求2所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：所述耐磨环(4)的外围呈平面状结构，所述氟橡胶O形圈(6)的外围呈弧面结构，所述耐磨环(4)与氟橡胶O形圈(6)的边缘处于同一剖面上。

8.根据权利要求5所述的一种半导体制造用真空阀活塞装置，其特征在于：所述对接卡环(13)与顶部活塞(1)的上端面处于同一水平面上。