[实用新型]基于低分布电容布局高频集成变压器的电源变换器有效
| 申请号: | 202021774691.8 | 申请日: | 2020-08-24 |
| 公开(公告)号: | CN212542160U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
| 发明(设计)人: | 孟涛;安彦桦 | 申请(专利权)人: | 黑龙江大学 |
| 主分类号: | H01F27/40 | 分类号: | H01F27/40;H01F27/30;H02M3/28;H02M3/335 |
| 代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 杨晓辉 |
| 地址: | 150000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 分布电容 布局 高频 集成 变压器 电源 变换器 | ||
基于低分布电容布局高频集成变压器的电源变换器,属于电力电子技术、开关电源技术领域,本实用新型为解决高压输入、多输出的基于变压器集成的输入串联型辅助电源在没有考虑原边绕组间分布电容的情况下,存在电源变换器性能低的问题。本实用新型包括高频集成变压器,所述高频集成变压器连接N个串联输入电路和n个输出电路,N2,n2,所述高频集成变压器的N个原边绕组PW1,PW2,…,PWN共同绕制在变压器骨架上,每个输入电路连接一个原边绕组;每个原边绕组均采用单层绕制,N个原边绕组由内至外按PW1,PW2,…,PWN的顺序或PWN,…,PW2,PW1的顺序一层一层依次绕制在变压器骨架上。
技术领域
本实用新型涉及高频集成变压器原边绕组的分布电容储能优化设计,属于电力电子技术、开关电源技术领域。
背景技术
目前,各种高压输入场合逐渐增多,受各类器件电压等级等因素的限制,如何有效地降低各关键器件的电压应力是高压电源设计过程中无法回避的问题。解决高电压应力的方法主要有4种:(1)利用多个功率器件串联来代替单个器件;(2)采用电压等级较高的各种新型宽禁带功率器件;(3)采用多电平技术;(4)采用多变换器输入串联的方式。方法1~3可有效解决变换器中主要功率器件(开关管、二极管)电压应力高的问题;方法4除了可以解决功率器件(开关管、二极管)电压应力高的问题,还可以解决变换器中主要无源器件(如变压器等磁性器件)的高压问题。
高频变压器是多数开关电源中必不可少的磁性器件,高频变压器的寄生参数对开关电源的影响较大。高频变压器主要有两类寄生参数:漏感和分布电容。其中,人们对变压器漏感相关的研究非常多,而对变压器分布电容的研究相对较少。在高压场合,变压器分布电容的影响较大,随着开关电源电压等级的不断增加,变压器分布电容的影响将越来越不容忽视。
如图1(a)所示为常规的单输入多输出辅助电源变换器,这里以双开关反激式拓扑为例给出,变换器也可采取其它相关拓扑,如单开关反激式、正激式拓扑等,其中,Lp和Wp分别为其变压器(Tc)原边绕组(PW)的电感量和匝数,Llk为等效漏感,Ls1,Ls2,...,Lsn和Ws1,Ws2,...,Wsn分别为n(n≥1)个副边绕组(SW1,SW2,…,SWn)的电感值和匝数。
对于图1(a)所示常规的单输入辅助电源变换器而言,其变压器的原边、副边绕组有两种基本的布局方式:(1)原、副边绕组集中绕制;(2)原、副边绕组交错绕制,两种布局方式变压器绕线骨架的截面图分别如图1(b)和(c)所示(原边绕组通常为多层绕制,这里4层为例给出,而由于副边绕组匝数远远少于原边绕组,因此,这里假设副边绕组只有1层),其中,“×”表示电流沿截面流入;“.”表示电流沿截面流出。
图1(b)中,将原边绕组集中绕制在变压器绕线骨架的里层,将副边绕组集中绕制在变压器绕线骨架的外层(根据实际情况,也可将原边绕组绕在外层,将副边绕组绕在里层);图1(c)中,将原边绕组分为结构相同的2部分,分别绕制在变压器绕线骨架的里层和外层,而将副边绕组绕制在2部分原边绕组之间。对于如图1(c)所示的原、副边绕组交错布局方法,原边绕组也可以分成多个部分(2部分以上),再将副边绕组绕制在各部分原边绕组之间,具体实现原理与图1(c)所示方法类似,这里不再给出。
对于如图1(a)所示常规的辅助电源变换器而言,与图1(b)所示方法相比,采用如图1(c)所示原、副边绕组的交错绕制方法,其目的是为了减小变压器原、副边绕组之间的漏感。
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