[实用新型]一种多层像素补偿电路

说明书

本实用新型公开了一种多层像素补偿电路包括：连接上层补偿电路与下层补偿电路的多条上下层连接线；T3的源极与OVDD连接，漏极与T4的源极连接，T3的栅极与EM连接；T4的漏极通过一条上下层连接线与有机发光二极管的正极连接；有机发光二极管的负极与OVSS连接；C2一端与T3的源极连接，另一端与T3的漏极连接；T1的源极与T2的源极连接；T1的源极与C1的另一端连接，C1的另一端通过一条上下层连接线与T3的漏极连接；T4的栅极通过一条上下层连接线与T1的源极连接。通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。

技术领域

本实用新型涉及像素补偿电路领域，尤其涉及一种多层像素补偿电路。

背景技术

当今，随着科技水平的不断提升，人们对显示器画面的要求也在提高，即对高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等显示器的解析度高达2000PPI以上。对于OLED面板来说，面内2T1C Pixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，需要补偿电路提升面板显示效果，而为了达到更好地补偿效果，补偿电路会有多个TFT，可能会有4T，5T，6T…，这样TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的Pixel数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。

如今对面板的显示品质需求水平越来越高，提高显示器的解析度尤为重要。我们知道对于OLED面板来说，由于制程和老化的影响，如产生Vth漂移，会对面板显示效果产生极大的影响，为了消除这一影响，OLED面板的Pixel电路通常会增加TFT做补偿电路，且通常补偿效果越好，TFT会越多，这样会导致Pixel所占面积过大，降低解析度；如将Pixel补偿电路中Driving TFT替换成电子迁移率更高的LTPSTFT，即LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，即低温多晶氧化物)结构，可减小TFT尺寸，增大解析度，同时将电路做分层处理，原本6T1C的Pixel电路可分为上下两层，上层3个Oxide TFT，下层3个LTPSTFT，进一步减小Pixel面积，增大解析度，同时实用LTPO可以兼具LTPS电子迁移率高与IGZO漏电流小的优势。

因此，如何提高OLED面板的解析度，制造一种补偿效果良好，并具有超高解析度的OLED面板是一项重要的课题。

实用新型内容

为此，需要提供一种多层像素补偿电路，达到减小TFT排布面积，提高面板解析度的技术效果。

为实现上述目的，本申请提供了一种多层像素补偿电路，包括：上层补偿电路、下层补偿电路以及连接所述上层补偿电路与下层补偿电路的多条上下层连接线，上层补偿电路与基板的间距大于下层补偿电路与基板的间距；所述上层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T1、T2，电容C1，有机发光二极管；所述下层补偿电路包括：多个薄膜晶体管T3、T4，电容C2；

所述T3的源极与OVDD连接，漏极与T4的源极连接，所述T3的栅极与EM连接；所述T4的漏极通过一条所述上下层连接线与所述有机发光二极管的正极连接；所述有机发光二极管的负极与OVSS连接；所述C2一端与所述T3的源极连接，另一端与所述T3的漏极连接；

所述T1的源极与所述T2的源极连接，所述T2的漏极与Vdata连接，所述T1的漏极与Vref连接，所述T1的栅极与Scan1连接，所述T2的栅极与Scan2连接；所述T1的源极与所述C1的另一端连接，所述C1的另一端通过一条所述上下层连接线与所述T3的漏极连接；所述T4的栅极通过一条所述上下层连接线与所述T1的源极连接。

进一步地，所述T1、T2为氧化物薄膜晶体管，所述T3、T4为低温多晶硅薄膜晶体管。