[实用新型]可屏蔽噪声的集成电路版图结构有效
| 申请号: | 202021751898.3 | 申请日: | 2020-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN212461691U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 袁永斌;张涛;朱林;李雯靓 | 申请(专利权)人: | 苏州知码芯信息科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 上海千寻知识产权代理事务所(普通合伙) 31353 | 代理人: | 吴小丽;吴红斐 |
| 地址: | 215500 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 屏蔽 噪声 集成电路 版图 结构 | ||
本实用新型公开了一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,包括核心版图、第一防噪网和第二防噪网,所述的第一防噪网铺设在所述核心版图的第一面上;所述的第二防噪网铺设在所述核心版图的第二面上;所述的第一防噪网和所述的第二防噪网形成用于给位于中间的所述核心版图屏蔽噪声的屏蔽罩。本实用新型通过在所述核心版图的上下两面分别设置所述的第一防噪网和所述的第二防噪网,使得整个核心版图被置于由所述的第一防噪网和所述的第二防噪网形成的屏蔽罩内,促使整个版图的去耦电容加大,从而减少了去耦噪声,实现了可极大地减少外部耦合噪声对版图本身的影响的有益效果。
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域,尤其涉及一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构。
背景技术
集成电路是一种微型电子器件或部件,采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路的各个引出端就是该电路的输入、输出、电源和地。
版图是一些位于不同图层上的几何图形(通常是矩形或多边形) 和集合,版图设计是指将前端设计产生的门级网表通过EDA (Electronic design automation,电子设计自动化)设计工具进行布局布线和进行物理验证并最终产生供制造用的GDSII(GeometryData Standard II,一个数据库文件格式)数据的过程。
噪声是指在导体中热激励的电荷载体构成了随机变化的电流,引起随机的电压,电路中除目的信号以外的一切信号,不管它对电路是否造成影响,都可称为噪声。噪声限制了电路能够正确处理的最小电平信号,它与功耗、速度和线性度相互制约,对版图的性能影响很大。在现有的版图设计中,通常是通过增加保护环来隔离噪声,即增加电源环和地线环。
本申请实用新型人在实现本申请实施例中实用新型技术方案的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:
现有技术中由于集成电路版图设计是通过增加保护环来隔离噪声的,只能隔离电路周围的噪声,使得对外部其他的耦合噪声隔离作用不大。
实用新型内容
本申请实施例通过提供一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,解决了现有技术中由于集成电路版图设计是通过增加保护环来隔离噪声的,只能隔离电路周围的噪声,使得对外部其他的耦合噪声隔离作用不大的技术问题,通过在所述核心版图的上下两面分别设置所述的第一防噪网和所述的第二防噪网,使得整个核心版图被置于由所述的第一防噪网和所述的第二防噪网形成的屏蔽罩内,促使整个版图的去耦电容加大,从而减少了去耦噪声,实现了可极大地减少外部耦合噪声对版图本身的影响的有益效果。
为解决上述问题,本申请实施例提供了一种可屏蔽噪声的集成电路版图结构,所述的版图包括:
核心版图;
第一防噪网,所述的第一防噪网铺设在所述核心版图的第一面上;
第二防噪网,所述的第二防噪网铺设在所述核心版图的第二面上;
所述的第一防噪网和所述的第二防噪网形成用于给位于中间的所述核心版图屏蔽噪声的屏蔽罩。
进一步的,所述的第一防噪网完全覆盖所述的核心版图。
更进一步的,所述的第二防噪网完全覆盖所述的核心版图。
进一步的,所述的第一防噪网由所述版图的电源线曲折形成。
更进一步的,所述的第二防噪网由所述版图的地线曲折形成。
进一步的,所述的第一防噪网包括若干个水平间隔设置的第一水平段和若干个竖直间隔设置的第一竖直段,所述的第一水平段和所述的第一竖直段相垂直,且所述的第一防噪网是由所述第一水平段和所述第一竖直段交织形成的网栅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州知码芯信息科技有限公司,未经苏州知码芯信息科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021751898.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





