[实用新型]一种消磁电源调控系统有效

专利信息
申请号: 202021750541.3 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN212627707U 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 张强 申请(专利权)人: 东莞纳普电子科技有限公司
主分类号: H02M5/458 分类号: H02M5/458;H02M5/10;H02M5/12;H02M5/257;H01F13/00
代理公司: 广东腾锐律师事务所 44473 代理人: 莫建坤
地址: 523000 广东省东莞市松山湖高新技术*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 消磁 电源 调控 系统
【说明书】:

实用新型涉及一种消磁电源调控系统,包括软启动接触器,其依次连接一整流器、软启动充电单元,并且用于为软启动充电单元的电容预充电;还包括IGBT驱动单元,包括若干组IGBT绝缘栅双极型晶体管电路以及与每一组晶体管电路相连接的两块CGE驱动板,并且使整流出的直流逆变成交流;还包括调磁电路,其通过一驱动变压器连接IGBT驱动单元,该调磁电路具有双向可控硅,并且于双向可控硅正反放电时产生交变的磁场,用于调整磁性。本实用新型克服以往消磁系统的弊端,能够使消磁系统的线圈中的环形器的磁性得到合理调整,从而促进消磁系统便于精准快速调压,有利于确保稳定调磁。

技术领域

本实用新型涉及消磁技术领域,尤其涉及一种消磁电源调控系统。

背景技术

在消磁技术领域内,消磁的基本概念是当磁化后的材料受到了外来的能量的影响,例如加热、冲击等因素,其中的各磁畴的磁距方向就会变得不一致,磁性就会减弱或消失,此过程称为消磁;常见的简易消磁方式很多,例如,可将留有磁性的材料置于交流磁场中,渐渐减弱交流磁场强度直至消失,此材料即被消磁,因此,针对不同的消磁方式可形成相应的消磁系统。

本实用新型技术方案之研发人员针对以往消磁系统进行分析之后发现,首先,其一般采用交流电压为市电220V通过升压变压器,再通过整流桥到薄膜电容器,电压的幅值不能改变,如前段增加调压器调压,则不能随时调压和精准调压,这是一个明显的劣势。

其次,由于环形器的特殊性,需要电压的微调来实现磁性强度的微调,调压器需手动调节旋钮,使用不便,也不便于精准调压。

因此,本实用新型之技术方案也是为了克服以上弊端,需要解决在可编程交流电源输出稳定、精准的电压的情况下,如何能够使消磁系统的线圈中的环形器的磁性得到合理调整。当然,本实用新型技术方案之研发人员在分析出以往消磁系统的弊端之后,将各个测试研发阶段所采取的中间方案有效的进行整合与多次性能测试,最终利于得到本实用新型趋于最佳优化的技术方案。

综上所述,本实用新型正是在现有公知技术的基础上,为了消磁系统的实际应用的需求,对本技术领域内的消磁系统提出进一步研发,提出一种消磁电源调控系统,其通过合理布局调控系统的电路模块,从而促进消磁系统便于精准快速调压,确保了环形器的稳定调磁。因而,所提出的技术方案能够缓解、部分解决或能够完全解决现有技术存在的问题。

实用新型内容

为克服上述问题或者至少部分地解决或缓减解决上述问题,本实用新型提供一种消磁电源调控系统,其通过合理优化系统的电路模块来促进消磁系统便于精准快速调压,且有利于确保稳定调磁。

为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:

一种消磁电源调控系统,用于交流电源输出稳定、精准的电压,其内部具有控制主板,该消磁电源调控系统包括:

软启动接触器,其依次连接一整流器、软启动充电单元,并且用于为软启动充电单元的电容预充电;

IGBT驱动单元,其分别与控制主板、软启动充电单元相连接,包括若干组IGBT绝缘栅双极型晶体管电路以及与每一组晶体管电路相连接的两块CGE驱动板,并且使整流出的直流逆变成交流;

调磁电路,其通过一驱动变压器连接IGBT驱动单元,该调磁电路具有双向可控硅,并且于双向可控硅正反放电时产生交变的磁场,用于调整磁性。

结合以上本实用新型之技术方案,技术人员还可结合实际需求对技术方案进一步限定或补充,可供限定或补充的技术手段包括以下任意一项:

该消磁电源调控系统主要采用交流电通过整流器为软启动充电单元的电容充电,并通过调磁电路的双向可控硅连接空心电感线圈放电。

相应地,对于IGBT驱动单元,其还通过输出变压器连接系统输出端的另一个双向可控硅;

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