[实用新型]外延结构及应用其的半导体芯片

说明书

本实用新型公开一种外延结构及应用其的半导体芯片，该外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，第二台阶部相对第一台阶部更靠近量子阱结构；第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。通过上述方式，可以有效提高半导体芯片的抗灾变性光学镜面损伤值。

技术领域

本实用新型涉及半导体激光领域，特别涉及一种外延结构及应用其的半导体芯片。

背景技术

半导体激光泵浦的全固态激光器是20世纪80年代末期出现的新型激光器。其总体效率至少要比灯泵浦高10倍，由于单位输出的热负荷降低，可获取更高的功率，系统寿命和可靠性大约是闪光灯泵浦系统的100倍，因此，半导体激光器泵浦技术为固体激光器注入了新的生机和活力，使全固态激光器同时具有固体激光器和半导体激光器的双重特点，它的出现和逐渐成熟是固体激光器的一场革命，也是固体激光器的发展方向。并且，它已渗透到各个学科领域，例如：激光信息存储与处理、激光材料加工、激光医学及生物学、激光通讯、激光印刷、激光光谱学、激光化学、激光分离同位素、激光核聚变、激光投影显示、激光检测与计量及军用激光技术等，极大地促进了这些领域的技术进步和前所未有的发展。

增大光输出功率、提高可靠性和工作寿命一直是半导体激光器领域的研究重点，而灾变性光学镜面损伤是影响半导体激光器最大输出功率和可靠性不可忽视的重要因素，灾变性光学镜面损伤是激光器腔面区域吸收谐振腔内部较高的光辐射后，导致该处温度超过其熔点，从而发生腔面融化的一种灾变性破坏。

如何防止灾变性光学镜面损伤成为一个重要的趋势。

实用新型内容

本实用新型提供一种外延结构及应用其的半导体芯片，以解决现有技术中灾变性光学镜面损伤的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；其中，所述P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，所述第二台阶部相对所述第一台阶部更靠近所述量子阱结构；其中，所述第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度大于所述第二台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第二台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度大于或等于1um，小于或等于30um。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一台阶部沿所述P型接触层与电极层的层叠方向上的高度大于所述第二台阶部沿所述P型接触层与电极层的层叠方向上的高度。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第二台阶部沿所述P型接触层与电极层的层叠方向上的高度大于或等于1nm，小于或等于100nm。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述电极层包括与所述第一台阶部呈台阶状设置的第三台阶部，所述第三台阶部填充有第二绝缘部。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述第三台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度大于所述第一台阶部沿所述外延结构的谐振腔方向的长度。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述外延结构还包括设置于所述P型接触层与所述量子阱结构之间的P型覆盖层以及第一波导层。

根据本实用新型提供的一实施方式，所述外延结构还包括依次设置于所述量子阱结构远离所述P型接触层的一侧的第二波导层、N型覆盖层以及N型衬底。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的另一个技术方案是：提供一种半导体芯片，所述半导体芯片包括基板以及上述中任一项所述的外延结构，所述外延结构设置于所述基板上。