[实用新型]一种低成本MOSFET模块

权利要求书

1.一种低成本MOSFET模块，其特征在于，包括MOSFET晶片(1)、MOSFET基板(11)和绑定线(9)；

所述MOSFET晶片(1)通过绑定线(9)和MOSFET基板(11)固定连接，且所述MOSFET晶片(1)和MOSFET基板(11)通信连接；

所述MOSFET晶片(1)包括第一上桥晶片(1-1)、第二上桥晶片(1-2)、第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)；

所述第一上桥晶片(1-1)、第二上桥晶片(1-2)、第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)的结构相同，均包括MOSFET漏极(2)、MOSFET源极(3)和MOSFET门极(4)；所述第一上桥晶片(1-1)和第二上桥晶片(1-2)形成MOSFET模块的上桥臂；所述第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)形成MOSFET模块的下桥臂。

2.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述MOSFET基板(11)包括从上至下依次固定连接的导电材料层(6)、绝缘绝热材料层(7)和散热材料层(8)；

所述导电材料层(6)和绝缘绝热材料层(7)之间以及绝缘绝热材料层(7)和散热材料层(8)之间均通过粘接的方式固定连接。

3.根据权利要求2所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述导电材料层(6)包括依次设置的母线正极端(6-1)、上桥门极控制信号端(6-2)、相线信号输出端(6-3)、下桥源极控制信号输出端(6-4)、下桥门极控制信号端(6-5)、相线功率输出端(6-6)和母线负极端(6-7)。

4.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述第一上桥晶片(1-1)的MOSFET漏极(2)和第二上桥晶片(1-2)的MOSFET漏极(2)均通过焊接的方式与母线正极端(6-1)固定连接，且所述第一上桥晶片(1-1)和第二上桥晶片(1-2)均与母线正极端(6-1)通信连接；所述第一下桥晶片(1-3)的MOSFET漏极(2)和第二下桥晶片(1-4)的MOSFET漏极(2)均通过焊接的方式与相线功率输出端(6-6)固定连接，且所述第一下桥晶片(1-3)和第二下桥晶片(1-4)均与相线功率输出端(6-6)通信连接。

5.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述第一上桥晶片(1-1)的MOSFET源极(3)和第二上桥晶片(1-2)的MOSFET源极(3)均通过绑定线(9)与相线信号输出端(6-3)和相线功率输出端(6-6)通信连接；所述第一下桥晶片(1-3)的MOSFET源极(3)和第二下桥晶片(1-4)的MOSFET源极(3)均通过绑定线(9)与母线负极端(6-7)通信连接。

6.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述第一上桥晶片(1-1)的MOSFET门极(4)和第二上桥晶片(1-2)的MOSFET门极(4)均通过绑定线(9)与上桥门极控制信号端(6-2)通信连接；所述第一下桥晶片(1-3)的MOSFET门极(4)和第二下桥晶片(1-4)的MOSFET门极(4)均通过绑定线(9)与下桥门极控制信号端(6-5)通信连接。

7.根据权利要求1所述的低成本MOSFET模块，其特征在于，所述低成本MOSFET模块还包括封装材料(5)；所述MOSFET晶片(1)和绑定线(9)均通过封装材料(5)封装。