[实用新型]一种晶圆片高温处理用承载装置有效
申请号: | 202021696677.0 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN212874439U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 李睿;杨强;王淼;马飞 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 高温 处理 承载 装置 | ||
本实用新型提供一种晶圆片高温处理用承载装置,具有两相对设置的端板,在两所述端板之间至少设有两组间隔设置的支杆一和支杆二,所述支杆一置于所述端板下段部,所述支杆二位于所述支杆一的上方;两个所述支杆一之间的宽度小于两个所述支杆二之间的宽度,且两个所述支杆二之间的宽度小于或等于最大径晶圆片的直径;两个所述支杆一与最小径所述晶圆片圆心的夹角不大于45°。本实用新型提出的承载装置,适用于各种规格晶圆片热处理时的放置,结构设计合理,操作方便,整体水平放置稳定,不仅可提高承载装置的强度,使得其水平移动更稳定,延长使用寿命。
技术领域
本实用新型属于单晶硅片热处理设备技术领域,尤其是涉及一种晶圆片高温处理用承载装置。
背景技术
晶圆片在成品出厂前,需要进行退火或热氧化等热处理操作,放置晶圆片的承载装置是保证其热处理后晶圆片参数是否正确的主要因素之一。而当前晶圆片在退火或者热氧化处理时,承载晶圆片的装置有多个规格尺寸,结构不统一,每个承载装置只能对应某一尺寸的晶圆片,且承载装置在放置进热处理炉时不易操作。同时,由于结构设计不合理,导致多个晶圆片同时放置时,重力受力不稳定,出现倾斜,容易损坏;在受到长时间热处理时容易变形,使得承载装置使用寿命降低,需要经常更换,导致生产成本高。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶圆片高温处理用承载装置,尤其是适用于晶圆片热处理炉,解决了现有技术中承载装置结构设计不合理,导致其规格不统一、影响晶圆片热处理质量、且使用寿命短的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:
一种晶圆片高温处理用承载装置,具有两相对设置的端板,在两所述端板之间至少设有两组间隔设置的支杆一和支杆二,所述支杆一置于所述端板下段部,所述支杆二位于所述支杆一的上方;两个所述支杆一之间的宽度小于两个所述支杆二之间的宽度,且两个所述支杆二之间的宽度小于或等于最大径晶圆片的直径;两个所述支杆一与最小径所述晶圆片圆心的夹角不大于45°。
进一步的,两个所述支杆二之间的宽度等于最大径所述晶圆片的直径;且两个所述支杆一与最小径所述晶圆片圆心的夹角为30°。
进一步的,还包括置于所述支杆一和所述支杆二之间的两个支杆三,两个所述支杆一、两个所述支杆二、两个所述支杆三与所述端板的连接点构成弧形结构,所述弧形与最大径所述晶圆片同心设置。
进一步的,两个所述支杆三之间的宽度大于两个所述支杆二之间宽度的1/2且小于两个所述支杆二之间宽度的4/5。
进一步的,所述支杆一、所述支杆二和所述支杆三均为圆柱型结构,且其靠近所述晶圆片一侧设有若干与所述晶圆片相适配的卡槽。
进一步的,两个所述端板结构相同;所述端板下端面为平整面,设有若干组开口朝外且对称设置的凹槽;所述凹槽深度低于所述支杆一的位置高度。
进一步的,所述端板下端面的两侧均设有倒角,所述倒角高度高于所述支杆一的高度且小于所述支杆三的高度。
进一步的,其中一个所述端板远离所述支杆一侧面设有把手,所述把手与所述端板垂直或倾斜设置。
进一步的,所述把手置于所述端板上段部且靠近高度方向的中间一侧设置;所述把手为圆弧结构或L型结构。
进一步的,所述晶圆片最大直径为320mm,最小直径为200mm。
与现有技术相比,采用本实用新型提出的承载装置,适用于各种规格晶圆片热处理时的放置,结构设计合理,操作方便,整体水平放置稳定,不仅可提高承载装置的强度,使得其水平移动更稳定;增加把手,便于人员操作,提高承载装置的使用寿命,保证晶圆片的热处理后的产品质量,降低生产成本。
附图说明
图1是本实用新型一实施例的承载装置的侧视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造