[实用新型]侧面栅极的结构有效

专利信息
申请号: 202021628106.3 申请日: 2020-08-07
公开(公告)号: CN212676275U 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: 汤为;孙效中;李江华 申请(专利权)人: 常州旺童半导体科技有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;F16F15/067
代理公司: 常州品益专利代理事务所(普通合伙) 32401 代理人: 张岳
地址: 213000 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 侧面 栅极 结构
【说明书】:

实用新型公开了侧面栅极的结构,包括盒体,所述盒体左侧为开口设置,所述盒体左侧设有侧门,所述侧门与盒体之间设有转轴,所述侧门与盒体之间通过转轴活动连接,所述侧门靠近底部处固定连接有轴承,所述侧门上开设有穿孔,所述盒体内腔底部靠近左侧处固定连接有竖块,所述竖块左端设有卡接机构,所述盒体内腔设有导板,所述导板前侧固定连接有源极,所述导板左侧固定连接有栅极,所述盒体右侧固定连接有若干个减震垫,若干个所述减震垫左端均与导板右侧相互贴合,通过盒体、减震垫、软垫、细杆和第二弹簧的设置,使得其在发生碰撞时,能够受到多重保护措施的同时防护,从而使得其具有不易损坏的特点。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,具体为侧面栅极的结构。

背景技术

功率半导体为三极型器件,其正面为栅极和源极,背面为漏极,栅极和源极为为金属结构,一般为铝或者铜,且栅极和源极在同一侧,这种结构的的器件在工作时,栅极并不能流过电流且占据了芯片的面积,使得器件的电流密度不能最大化,且在发生碰撞时,容易发生损坏,影响其的正常使用。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的电流密度较小、易损坏等缺陷,提供侧面栅极的结构。所述侧面栅极的结构具有电流密度较大、不易损坏等特点。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:侧面栅极的结构,包括盒体,所述盒体左侧为开口设置,所述盒体左侧设有侧门,所述侧门与盒体之间设有转轴,所述侧门与盒体之间通过转轴活动连接,所述侧门靠近底部处固定连接有轴承,所述侧门上开设有穿孔,所述盒体内腔底部靠近左侧处固定连接有竖块,所述竖块左端设有卡接机构,所述盒体内腔设有导板,所述导板前侧固定连接有源极,所述导板左侧固定连接有栅极,所述盒体内腔右侧固定连接有若干个减震垫,若干个所述减震垫左端均与导板右侧相互贴合,所述盒体内腔顶部与底部均固定连接有两个粗管,所述粗管内腔远离导板的一端均固定连接有第二弹簧,所述第二弹簧靠近导板的一端固定连接有细杆,所述细杆远离第二弹簧的一端与导板相互贴合。

优选的,所述卡接机构包括第一弹簧,所述第一弹簧右端与竖块固定连接,所述第一弹簧左端与侧门相互贴合,所述竖块顶端设有插杆,所述插杆左端贯穿相邻的轴承。

优选的,若干个所述减震垫从上至下依次呈线性阵列状排列。

优选的,位于同侧的两个所述粗管以盒体的中心轴线为对称轴呈左右对称设置。

优选的,所述细杆靠近导板的一端固定连接有软垫,所述软垫远离细杆的一端与导板相互贴合。

优选的,所述粗管与细杆相互匹配。

优选的,所述插杆的横截面为L形设置。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型侧面栅极的结构在使用时,通过将栅极放在芯片的侧面,从而节省了表面的栅极区域的面积,使得原栅极的区域可以节省下来变为源极,增大了源极的区域,增加的芯片的电流流经区域,增大了器件的电流密度;

2、本实用新型侧面栅极的结构在使用时,通过盒体、减震垫、软垫、细杆和第二弹簧的设置,使得其在发生碰撞时,能够受到多重保护措施的同时防护,从而使得其具有不易损坏的特点。

附图说明

图1为本实用新型正视图的剖视图;

图2为本实用新型部件导板的剖面图;

图3为本实用新型图1中A处放大图。

图中标号:1、盒体;2、侧门;3、栅极;4、导板;5、源极;6、软垫;7、转轴;8、插杆;9、第一弹簧;10、竖块;11、细杆;12、粗管;13、第二弹簧;14、减震垫。

具体实施方式

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