[实用新型]半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备

说明书

本实用新型提供一种半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备，其中，半导体设备的基座用于承载衬底，基座包括基座本体和设置在基座本体中用于容纳衬底的容纳槽，容纳槽中设置有支撑部和环形凹槽，支撑部用于支撑衬底，且支撑部与衬底接触的上端面上设置有弧形凹陷；环形凹槽沿容纳槽的内周壁环绕设置在支撑部的周围，支撑部的径向尺寸小于衬底的径向尺寸，支撑部在支撑衬底时，衬底的预设宽度的边缘部分悬于环形凹槽上方。本实用新型提供的半导体设备的基座及半导体设备，能够抑制裂纹的扩大，降低衬底碎裂的概率，从而提高产品的良率及产能。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备。

背景技术

采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)技术进行半导体外延工艺时，通常需要对衬底进行加热，并控制反应气体流过被加热的衬底，以在衬底表面形成一层硅单质薄膜。

现有的半导体外延工艺中，通常是采用如图1所示的基座11对衬底14进行承载并加热，该基座11中设置有容纳槽12，且容纳槽12的底面13为球面，在半导体外延工艺中，容纳槽12用于容纳衬底14，容纳槽12为球面的底面13通过对衬底14的边缘进行支撑以承载衬底14。该基座11可以通过热传递的方式对承载于其上的衬底14进行加热，而其自身可以被设置在其旁的线圈产生的电磁感应而加热。

但是，在半导体加工的多种工艺过程中，通常需要对衬底14进行洗边，即，对衬底14的一定宽度的边缘部分进行倒角，用以消除背封等工艺过程中产生的应力，由于洗边过程中衬底14可能会出现损伤，使得被倒角的边缘部分可能会存在微小的裂纹。而在如图1所示的基座11中，由于容纳槽12的底面13为球面，因此，在半导体外延工艺中，只有衬底14的边缘与容纳槽12为球面的底面13直接接触，而衬底14的中心区域与容纳槽12为球面的底面13不直接接触，这就使得衬底14边缘的温度高于衬底14中心区域的温度，导致衬底14边缘的热应力场呈拉应力状态，而拉应力会有助于裂纹的扩大，最终可能会导致衬底14的开裂碎片。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备，其能够抑制裂纹的扩大，降低衬底碎裂的概率，从而提高产品的良率及产能。

为实现本实用新型的目的而提供一种半导体工艺设备中的基座，用于承载衬底，所述基座包括基座本体和设置在所述基座本体中用于容纳所述衬底的容纳槽，所述容纳槽中设置有支撑部和环形凹槽，其中，所述支撑部用于支撑所述衬底，且所述支撑部与所述衬底接触的上端面上设置有弧形凹陷；所述环形凹槽沿所述容纳槽的内周壁环绕设置在所述支撑部的周围，所述支撑部的径向尺寸小于所述衬底的径向尺寸，所述支撑部在支撑所述衬底时，所述衬底的预设宽度的边缘部分悬于所述环形凹槽上方。

优选的，所述环形凹槽的外周壁与所述容纳槽的内周壁平齐，所述环形凹槽的宽度的取值范围为L(D-d)/2+s，其中，L为所述环形凹槽的宽度，D为所述容纳槽的直径，d为所述衬底的直径，s为所述预设宽度。

优选的，所述环形凹槽的槽底与所述弧形凹陷的弧底平齐。

优选的，所述弧形凹陷的底部开设有导流槽，所述导流槽分别与所述弧形凹陷和所述环形凹槽连通，用于将所述弧形凹陷中的气体导流至所述环形凹槽中。

优选的，所述弧形凹陷的底部开设有多条所述导流槽，多条所述导流槽以所述弧形凹陷的轴线为中心呈放射状分布。

优选的，多条所述导流槽之间相互连通。

优选的，所述导流槽的槽底与所述弧形凹陷的弧底平齐。

优选的，所述导流槽的深度的取值范围为0.1mm-0.2mm。

优选的，所述导流槽的宽度的取值范围为bD-d，其中，b为所述导流槽的宽度，D为所述容纳槽的直径，d为所述衬底的直径。