[实用新型]共阴LED显示行驱动芯片的过流保护电路有效
| 申请号: | 202021597758.5 | 申请日: | 2020-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN212278505U | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
| 发明(设计)人: | 唐永生;李雪民;张宏根;徐银森 | 申请(专利权)人: | 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 |
| 主分类号: | H05B45/30 | 分类号: | H05B45/30;H05B45/50 |
| 代理公司: | 东莞高瑞专利代理事务所(普通合伙) 44444 | 代理人: | 杨英华 |
| 地址: | 629000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 显示 驱动 芯片 保护 电路 | ||
1.一种共阴LED显示行驱动芯片的过流保护电路,其特征在于,包括:
作为行驱动芯片的功率管NM0;
用于检测所述功率管NM0的漏端电压的过流检测电路(10);以及
与过流检测电路(10)信号连接且用于控制所述功率管NM0开关的组合逻辑电路(20);
其中,所述过流检测电路(10)和组合逻辑电路(20)信号连接有行使能信号OE,所述过流检测电路(10)通过判断功率管NM0的漏端电压VOUT是否高于参考电压VR,并根据对比结果输出检测信号EN至组合逻辑电路(20)中,所述组合逻辑电路(20)根据该检测信号EN与行使能信号OE输出控制信号VCTRL控制功率管NM0的开关。
2.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述组合逻辑电路(20)包括与门电路A4,该与门电路A4的输入端分别输入行使能信号OE和检测信号EN、其输出端输出控制信号VCTRL至功率管NM0的栅极。
3.根据权利要求2所述的过流保护电路,其特征在于:所述过流检测电路(10)包括触发器DFF、反相器A3及电流镜,所述电流镜中输入电流I0经反相器A3后输入触发器DFF的输入端,所述触发器DFF输出检测信号EN至与门电路A4中,行使能信号OE通过反相器A1和A2处理后输入触发器DFF中。
4.根据权利要求3所述的过流保护电路,其特征在于:所述电流镜由对称的零号PMOS管和第一PMOS管线路连接组成,电流I0输入电流镜的输入级,电流镜的输出级线路连接反相器A3。
5.根据权利要求4所述的过流保护电路,其特征在于:所述第一PMOS管并联有第二PMOS管和第三PMOS管,第二PMOS管的栅极线路连接反相器A2的输出端,第三PMOS管的栅极线路连接功率管NM0的栅极,第二PMOS管和第三PMOS管的漏极线路连接至反相器A3。
6.根据权利要求3所述的过流保护电路,其特征在于:所述过流检测电路(10)还包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一NMOS管的栅极线路连接至功率管NM0的栅极,所述第二NMOS管的栅极线路连接至功率管NM0的漏极,所述第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极相连,第二NMOS管的漏极线路连接反相器A3,第一NMOS管的源极连接电路公共接地端VSS。
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