[实用新型]MEMS芯片及MEMS传感器有效
| 申请号： | 202021593918.9 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN211570110U | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 詹竣凯;何宪龙;罗松成;李承勲 | 申请（专利权）人： | 共达电声股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人： | 欧阳雪兵 |
| 地址： | 261000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 芯片 传感器 | ||
1.一种MEMS芯片，包括基底、安装于所述基底上的膜片和背板，所述背板与所述膜片间隔相对并共同形成电容结构，所述背板包括第一区域及围绕在所述第一区域外围的第二区域，其特征在于：所述第一区域开设第一通孔，所述第二区域开设第二通孔，所述第一区域的第一通孔的开孔率小于所述第二区域的第二通孔的开孔率。
2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域的第一通孔之间的间隔大于所述第二区域的第二通孔之间的间隔。
3.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域的第一通孔的孔径等于所述第二区域的第二通孔的孔径。
4.如权利要求1或2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域的第一通孔的孔径小于所述第二区域的第二通孔的孔径。
5.如权利要求2或3所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域的第一通孔之间的间隔距离为所述第二区域的第二通孔之间的间隔距离的2~3倍。
6.如权利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域的第一通孔的孔径为所述第二区域的第二通孔的孔径的1/5至1/3。
7.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述基底设有背腔，所述第一区域的中心线与所述背腔的中心线共线。
8.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第一区域的第一通孔的开孔率为所述第二区域的第二通孔的开孔率的1/5至1/3。
9.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述第二区域的面积为所述第一区域面积的3~5倍。
10.一种MEMS传感器，其特征在于，所述MEMS传感器包括如权利要求1至9任一项所述的MEMS芯片。
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