[实用新型]一种输入恒流光控升压电路有效

专利信息
申请号: 202021574040.4 申请日: 2020-07-31
公开(公告)号: CN213243577U 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 陈长兴;班福奎;杨义凯 申请(专利权)人: 上海裕芯电子科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02H7/18;H02M3/158;H02M1/092;H02J7/35
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陶金龙
地址: 201306 上海市浦东新区临*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 输入 流光 升压 电路
【权利要求书】:

1.一种输入恒流光控升压电路,其特征在于,包括芯片内部电路和外围电路;所述外围电路包括电感L、太阳能板solar、电池及输出电容Cout;所述芯片内部电路包括升压电路、太阳能充电控制电路、使能电路、PFM控制电路、PMOS晶体管MP1、PMOS晶体管MP2、NMOS晶体管MN1、驱动电路及供电切换电路;所述太阳能板solar连接在引脚SOL和接地端GND之间,所述输出电容Cout连接在电源VDD和接地端GND之间,所述太阳能充电控制电路包括第一输入端、第二输入端、第三输入端、第一输出端、第二输出端和第三输出端,所述第一输入端和所述PMOS晶体管MP2的源极与引脚BAT相连,所述第二输入端和所述PMOS晶体管MP2的漏极与所述引脚SOL相连,所述第三输入端与所述PFM控制电路相连,所述第一输出端接所述PMOS晶体管MP2的栅极,所述第二输出端和第三输出端分别接所述驱动电路和给所述供电切换电路提供使能信号EN1;所述驱动电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端,所述供电切换电路包括第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端,所述第一输出端和第二输出端与所述PMOS晶体管MP1和NMOS晶体管MN1的栅极相连,所述PMOS晶体管MP1和NMOS晶体管MN1的漏极与引脚LX相连,所述PMOS晶体管MP1的源极接所述供电切换电路的第一输出端,所述供电切换电路的第二输出端接电源VDD,所述供电切换电路的第一输入端与接地端GND相连,第二输入端接使能信号EN1,所述电感L连接在所述引脚LX和与所述引脚SOL之间,所述电池连接在所述引脚SOL和所述接地端GND之间;

其中,所述引脚BAT的信号及引脚SOL的信号经所述太阳能充电控制电路产生使能信号EN1,所述使能电路的输入端接收引脚EN接收的信号,输出使能信号EN2,所述供电切换电路还包括第三输入端,所述第三输入端接收使能信号EN2,并同所述使能信号EN和所述接地端GND信号一起供给所述供电切换电路,在所述升压电路正常工作且无光控情况下,其输出与所述电源VDD的电压相同,当光控充电时或使能关断时,其输出所述电源VDD与所述接地端GND的电压相同。

2.根据权利要求1所述的输入恒流光控升压电路,其特征在于,所述的供电切换电路包括第一开关key1、第二开关key2、或非门和反向器;所述或非门的两个输入端分别接所述使能信号EN1和使能信号EN2,所述第一开关key1连接在内部供电引脚vdd1及所述电源VDD信号之间,所述第二开关key2连接在所述接地端GND信号及所述电源VDD信号之间;所述或非门控制所述第一开关key1的导通,所述反向器控制所述第一开关key2的导通,当所述使能信号EN1和使能信号EN2关断时,输出VDD切换为所述接地端GND信号。

3.根据权利要求1所述的输入恒流光控升压电路,其特征在于,还包括电池低电量关断电路,所述供电切换电路还包括第四输入端,所述的电池低电量关断电路接收所述引脚BAT信号产生控制信号CTL,所述第四输入端接收所述控制信号CTL,当所述引脚BAT的信号显示电池电量不足时,所述的供电切换电路产生关断信号;其中,所述引脚LX的信号、使能信号EN1、所述控制信号CTL经所述升压电路产生内部供电引脚vdd1信号并供给供电切换电路,以输出所述电源VDD信号。

4.根据权利要求3所述的输入恒流光控升压电路,其特征在于,所述电池低电量关断电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、MOS晶体管3、MOS晶体管4和施密特触发器,所述电阻R8、电阻R9和电阻R10依次串接在所述引脚BAT和所述接地端GND之间,所述电阻R11连接在所述内部供电引脚vdd1及所述施密特触发器的输入端;所述MOS晶体管3的栅极与所述电阻R8和电阻R9的连接点相连,漏极接所述施密特触发器的输入端,源极接所述接地端GND;所述MOS晶体管4的栅极接所述施密特触发器的输出端,所述MOS晶体管4的漏极与所述电阻R9和电阻R10的连接点相连,所述MOS晶体管4的源极接所述接地端GND;所述施密特触发器的输出端输出所述控制信号CTL。

5.根据权利要求4所述的输入恒流光控升压电路,其特征在于,所述MOS晶体管3和所述MOS晶体管4为NMOS晶体管。

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