[实用新型]一种改善背钝化晶硅电池片的应力背激光图案有效
| 申请号: | 202021571849.1 | 申请日: | 2020-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN213026142U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 郭丽;梁玲;杨飞飞;李雪方;赵科巍;张波 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改善 钝化 电池 应力 激光 图案 | ||
本实用新型涉及背激光图案领域。一种改善背钝化晶硅电池片的应力背激光图案,该背激光图案由环环相套的正方形图案(3)构成,每个正方形图案的四条边为两条实线(1)和两条虚线(2),每条实线(1)的两端都连接两条虚线(2)的两端,环环相套的正方形图案(3)中相邻两个正方形图案(3)的内部一个正方形图案中的实线(1)与外部一个正方形图案中的虚线对应。本实用新型的有益效果是:缓解了背激光造成的背表面应力,降低晶硅电池的碎片率。
技术领域
本实用新型涉及背激光图案领域。
背景技术
高效PERC晶硅电池需要在背面做一背钝化以提高背反射光的利用率,但经过钝化步骤后会影响丝网印刷背铝浆料与硅基体进行有效的接触,这就需要在背钝化工艺后对硅片进行开槽处理,以打通背面绝缘叠层,形成背电场与硅基体的电学通路。然而不同的开槽面积即开孔率不仅影响串联电阻还会影响短路电流。开孔率过大,背钝化效果被破坏,电池光电转换效率降低;开孔率过小,背铝场与硅片接触性差,电池光电转换效率也会降低。同时,在相同的开孔率条件下,不同背激光图案,电池片背面的机械应力均匀性不同,高效PERC电池的隐裂程度也不同。因此,就需要对电池片背激光图案进行设计。本实用新型在一定的开孔率条件下,优化了背激光开槽图案,不降低光电转换效率的情况下,改善背钝化电池应力背激光,从而降低晶硅电池的碎片率。
发明内容
本实用新型所要解决的技术方案是:如何在保证开孔率的情况下,优化背激光开槽图案,在保证不降低光电转换效率的情况下,改善背钝化电池应力,从而降低晶硅电池的碎片率。
本实用新型所采用的技术方案是:一种改善背钝化晶硅电池片的应力背激光图案,该背激光图案由环环相套的正方形图案(3)构成,每个正方形图案的四条边为两条实线(1)和两条虚线(2),每条实线(1)的两端都连接两条虚线(2)的两端,环环相套的正方形图案(3)中相邻两个正方形图案(3)的内部一个正方形图案中的实线(1)与外部一个正方形图案中的虚线对应。
环环相套的正方形图案(3)中相邻两个正方形图案之间的间距相等。
环环相套的正方形图案(3)中相邻两个正方形图案之间的间距为0.75mm,最内部的一个正方形图案(3)的边长为0.75mm。
同一个正方形图案(3)中虚线(2)中实线段长度为虚线(2)总长度的3/4,虚线(2)由等间隔的实线段构成。
本实用新型的有益效果是:缓解了背激光造成的背表面应力,降低晶硅电池的碎片率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
其中,1、实线,2、虚线,3、正方形图案。
具体实施方式
如图1所示,背激光的基本单元是是由实线1与虚线2激光工艺线交替组成的正方形构成;以硅片正中心的正方形3为最基础单元(其边长为d为0.75mm)向外不断等间隔(间隔也0.75mm)向外辐射出不断放大且每次旋转90度的正方形,即每次放大虚实旋转一次,辐射出的正方形的边长与上一个正方形边长差值为一个以间距0.75mm的2倍即1.5为公差的等差数列an,an=d+2d(n-1)=1.5n-0.75,其中最外圈的正方形边长为154mm,距离硅片边缘为1.3mm;同一组正方形中虚线段的长度为实线长度的3/4,此激光图案的实虚比为1:1,开孔率为3.42%,激光光斑直径为30μm,整个激光图案由103个以首边长为0.75mm,公差为1.5mm不断放大的正方形组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西潞安太阳能科技有限责任公司,未经山西潞安太阳能科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021571849.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:六合一多串口互转模块
- 下一篇:一种搅拌容器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





