[实用新型]一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆有效

专利信息
申请号: 202021514461.8 申请日: 2020-07-28
公开(公告)号: CN213266784U 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 王昌运;陈伟;张星;陈秋华 申请(专利权)人: 福建福晶科技股份有限公司
主分类号: C30B15/32 分类号: C30B15/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350003 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 减少 bbo 晶体 中间 包络 籽晶
【说明书】:

发明公开一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆,所述籽晶杆内部为U形中空管,利用水流不断的带走热量,加快籽晶杆散热,减少BBO晶体中间包络。

技术领域

本发明涉及一种人工晶体生长领域,尤其涉及一种减少BBO晶体中间包络的籽晶杆。

背景技术

低温相偏硼酸钡β-BaB2O4是一种非常重要的新型非线性晶体,具有宽的透光范围,大的有效倍频系数,大的双折射率和高的激光损伤阈值,广泛运用于激光倍频,目前还未见有性能更好的材料取代它。

该晶体目前采用顶部籽晶法生长,晶体生长过程通过籽晶杆散热等带走热量,实现晶体生长。生长出来晶体经常中间包络严重,无法利用。

发明内容

本发明籽晶杆内部设计为U形中空管结构,开口封闭,左右两侧分别为进水口和出水口,水流不间断地经过进水口进入U形管内,经过出水口流出。利用水流不断的带走热量,加快籽晶杆散热,减少BBO晶体中间包络。

附图说明

图1是本发明籽晶杆示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明:

实施方式一:

将BBO原料碳酸钡,硼酸,氟化钠按比例混匀利用化料炉熔透,装入坩埚底部内嵌圆锥体的铂金坩埚中,将坩埚置于熔盐炉中,升温至1100℃,原料达到熔融状态,将熔体温度降至1000℃下籽晶,将固定有BBO籽晶的籽晶杆缓慢下沉至熔体液面,以5转/分的速度旋转籽晶杆,当晶体生长快至坩埚壁时,籽晶杆停止转动,进水口开始通水,出水口开始接水,并开始1℃/d速率降温,经过5个月,取出晶体,晶体中间包络明显减少。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司,未经福建福晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021514461.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top