[实用新型]一种薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括自上而下依次设置的顶电极、压电层、底电极、支撑层、空腔结构和衬底，所述空腔结构内设有至少两个支撑膜层以及至少两个空气层；

其中，支撑膜层的声阻抗大于所述空气层的声阻抗，每个所述空气层与每个支撑膜层自上而下交替叠合，任意相邻的所述空气层与所述支撑膜层共同组成布拉格声波反射层。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空气层的厚度为体声波波长的1/4或3/4，所述支撑膜层的厚度为体声波波长的1/4或3/4。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空气层的厚度为30-2000nm，所述支撑膜层的厚度30-2000nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述空腔结构靠近所述支撑层的一侧为空气层。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，

所述空腔结构靠近所述支撑层的一侧为支撑膜层。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑膜层的数量为2-10个。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空气层与所述支撑膜层一一对应。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空腔结构突出于所述衬底的上表面，所述支撑层覆盖于所述空腔结构的上表面及侧面，且所述支撑层覆盖所述衬底的上表面未设置所述空腔结构的部分。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述衬底具有与所述空气层连通的释放窗口，所述薄膜体声波谐振器包括覆盖于所述顶电极外侧并密封所述释放窗口的盖层。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空气层由牺牲层释放所得，所述牺牲层的材料为SiO₂或Si，所述牺牲层的材料与所述支撑膜层的材料不同。