[实用新型]负载短路保护装置

权利要求书

1.一种负载短路保护装置，其特征在于，包括：

负载模块，所述负载模块的输入端用于和外部电源电连接；

驱动管模块，所述驱动管模块的第一输入端与所述负载模块的输出端连接，所述驱动管模块的第二输入端用于接收脉冲电压信号，所述脉冲电压信号用于提供导通电压，所述导通电压用于导通所述驱动管模块；

降压模块，所述降压模块的输入端与所述驱动管模块的输出端连接，所述降压模块的第一输出端接地，所述降压模块的第二输出端与所述驱动管模块的第二输入端连接；所述降压模块用于降低所述驱动管模块的第二输入端的电压，以使所述驱动管模块处于截止状态。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

信号生成模块，所述信号生成模块的输入端与所述降压模块的第三输出端连接，所述信号生成模块的输出端用于生成负载短路信号并将所述负载短路信号输出至控制模块；

所述控制模块，与所述驱动管模块的第二输入端连接，与所述信号生成模块的输出端连接，所述控制模块用于接收所述负载短路信号，并根据所述负载短路信号切断所述脉冲电压信号。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述驱动管模块包括：

半导体场效应晶体管，所述半导体场效应晶体管的第一输入端为所述驱动管模块的第一输入端，所述半导体场效应晶体管的输出端为所述驱动管模块的输出端；

供流电源，与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接，所述供流电源用于为所述半导体场效应晶体管提供电流；

驱动电压单元，与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接，所述驱动电压单元的输入端为所述驱动管模块的第二输入端，所述驱动电压单元的输出端与所述半导体场效应晶体管的第二输入端连接；所述驱动电压单元用于接收所述脉冲电压信号并导通所述半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述降压模块包括：

电阻R1，一端与所述半导体场效应晶体管的输出端连接，另一端接地；

三极管Q1，所述电阻R1的一端与所述三极管Q1的基极连接，所述电阻R1的另一端与所述三极管Q1的发射极连接，所述三极管Q1的基极与所述半导体场效应晶体管的输出端连接，所述三极管Q1的发射极接地；所述三极管Q1的集电极与所述驱动电压单元的输入端连接。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述降压模块还包括：

灵敏度调节单元，包括电阻R2和电阻R3，所述电阻R2的一端与所述半导体场效应晶体管的输出端连接，所述电阻R2的另一端与所述电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端接地；所述电阻R3的两端分别连接于所述三极管Q1的基极和发射极。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

截止二极管D1，所述截止二极管D1的正极与所述驱动电压单元的输入端连接，所述截止二极管D1的负极与所述三极管Q1的集电极连接。

7.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述信号生成模块包括：

比较器，所述比较器的正极输入端与所述三极管Q1的集电极连接；

正极供压单元，与所述比较器的正极输入端连接，用于为所述比较器的正极输入端提供电压，所述正极供压单元的输出端与所述三极管Q1的集电极连接；

负极供压单元，与所述比较器的负极输入端连接，用于为所述比较器的负极输入端提供固定电压值；

信号输出供压单元，与所述比较器的输出端和所述控制模块连接，所述信号输出供压单元用于结合所述比较器的输出端输出的信号，向所述控制模块输送所述负载短路信号。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述正极供压单元包括：

第一供电电源，与所述比较器的正极输入端连接。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

截止二极管D2，所述截止二极管D2的正极与所述第一供电电源连接，所述截止二极管的负极与所述三极管Q1的集电极连接。