[实用新型]像素电路有效

专利信息
申请号: 202021498259.0 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN212276783U 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 王选芸;戴超 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/30 分类号: G09G3/30;G09G3/32;G09G3/3233
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路
【权利要求书】:

1.一种像素电路,其特征在于,包括:

发光器件,串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路;

驱动晶体管,串接于所述发光回路,用于控制流经所述发光回路的电流;

复位晶体管,所述复位晶体管的漏极/源极中的一者与初始电压信号连接,所述复位晶体管的漏极/源极中的另一者与所述发光器件的阳极连接;以及

初始化晶体管,所述初始化晶体管的漏极/源极中的一者与所述驱动晶体管的栅极连接,所述初始化晶体管的漏极/源极中的另一者与所述发光器件的阳极连接;

其中,所述复位晶体管、所述初始化晶体管串接于所述初始电压信号与所述驱动晶体管的栅极之间。

2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

第一发光控制晶体管,所述第一发光控制晶体管的漏极/源极中的一者与所述第一电源信号连接,所述第一发光控制晶体管的漏极/源极中的另一者与所述驱动晶体管的漏极/源极中的一者连接;

第二发光控制晶体管,所述第二发光控制晶体管的漏极/源极中的一者与所述驱动晶体管的漏极/源极中的另一者连接,所述第二发光控制晶体管的漏极/源极中的另一者与所述发光器件的阳极连接。

3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述初始化晶体管的栅极与第一控制信号连接;所述复位晶体管的栅极与第二控制信号连接,用于根据所述第二控制信号同步复位所述发光器件的阳极的电位、所述驱动晶体管的栅极的电位至所述初始电压信号的电位;所述第一发光控制晶体管的栅极与第三控制信号连接;所述第二发光控制晶体管的栅极与所述第三控制信号连接;所述第二控制信号与所述第一控制信号或者所述第三控制信号中的任一个相同。

4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

写入晶体管,所述写入晶体管的漏极/源极中的一者与数据信号连接,所述写入晶体管的漏极/源极中的另一者与所述驱动晶体管的漏极/源极中的一者连接,所述写入晶体管的栅极与第四控制信号连接。

5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

钳位晶体管,所述钳位晶体管的漏极/源极中的一者与所述驱动晶体管的栅极连接,所述钳位晶体管的漏极/源极中的另一者与所述驱动晶体管的漏极/源极中的一者连接,所述钳位晶体管的栅极与所述第四控制信号连接。

6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括:

存储电容,所述存储电容的第一端与所述第一电源信号连接,所述存储电容的第二端与所述驱动晶体管的栅极连接。

7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述复位晶体管与所述第一发光控制晶体管和所述第二发光控制晶体管的沟道类型不同;

其中,所述复位晶体管为氧化物晶体管;所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管均为硅晶体管。

8.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,所述复位晶体管与所述初始化晶体管的沟道类型相同;

其中,所述初始化晶体管为氧化物晶体管。

9.根据权利要求1至8任一项所述的像素电路,其特征在于,所述第一电源信号的电位大于所述第二电源信号的电位。

10.一种像素电路,其特征在于,包括:

发光单元,串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路;

驱动单元,串接于所述发光回路,用于控制流经所述发光回路的电流;

初始化单元,所述初始化单元的输入端与所述发光单元的输入端连接,所述初始化单元的输出端与所述驱动单元的控制端连接,用于根据第一控制信号初始化所述驱动单元的控制端的电位;以及

复位单元,与所述发光单元的输入端连接,用于根据第二控制信号控制所述发光单元的输入端的电位、所述驱动单元的控制端的电位同步复位至初始电压信号的电位。

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