[实用新型]一种矩形双面超导薄膜开关

权利要求书

1.一种矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：包括基底层、分设于基底层两侧的上组薄膜和下组薄膜，上组薄膜包括上缓冲层、上薄膜层和上分流层且从基底层向上侧排列，下组薄膜包括下缓冲层、下薄膜层和下分流层且从基底层向下侧排列，上组薄膜和下组薄膜同侧分别连接有第一开关和第二开关且另一侧连接同个电源后形成串并联切换电路。

2.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：基底层采用铝酸镧材质且厚度为0.5mm。

3.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：上缓冲层和下缓冲层均采用氧化铈材质且厚度均为50nm。

4.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：上薄膜层和下薄膜层均采用YBCO薄膜且厚度均为300nm。

5.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：上分流层和下分流层均采用铜金属材质且厚度范围为50nm至100nm之间。

6.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：串并联切换电路还包括超导磁体，超导磁体两端分别连接下薄膜层和第二开关串联后的两端。

7.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：上薄膜层和下薄膜层均为矩形且正极方向同侧设立。

8.根据权利要求1所述的矩形双面超导薄膜开关，其特征在于：第一开关和第二开关均为单刀双掷开关。