[实用新型]可调式谐振器

说明书

一种可调式谐振器，包括：谐振腔，在衬底中，至少包括中心的第一谐振腔和外围的第二谐振腔；第一堆叠结构，在第一谐振腔上，依次包括下电极第一部分、压电层第一部分和上电极第一部分；第二堆叠结构，在第二谐振腔上，依次包括下电极第二部分、压电层第二部分和上电极第二部分；第一绝缘层，在衬底上，位于下电极第一部分和下电极第二部分之间。依照本实用新型的可调式谐振器，在主谐振器外围增设副谐振器以主动地调节谐振状态，有利于提高器件集成度和效率。

技术领域

本实用新型涉及一种可调式谐振器，特别是一种可调节的可调式谐振器。

背景技术

在无线通讯中，射频滤波器作为过滤特定频率信号的中介，用于减少不同频段的信号干扰，在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。随着4GLTE网络的部署和市场的增长，射频前端的设计朝着小型化、低功耗和集成化的方向发展，市场对滤波性能的要求也越来越高。由于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称“FBAR”，也称“体声波”，BulkAcousticWave，简称“BAW”，)具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数(Q值)高、直接输出频率信号、与CMOS工艺兼容等特点，目前已经成为射频通讯领域重要的器件被广泛应用。

FBAR是制作在衬底材料上的电极——压电膜——电极的三明治结构的薄膜器件。FBAR的结构有空腔型、布拉格反射型(SMR)和背面刻蚀型。其中空腔型FBAR相对SMR型Q值要高，损耗要小，机电耦合系数要高；相对于背面刻蚀型FBAR不需要去掉大面积的衬底，机械强度较高。因此，空腔型FBAR是集成于CMOS器件上的首选。

传统地，在衬底中制备了谐振空腔之后，器件的谐振频率就因此确定。当需要应用于不同频率或者频带范围较宽时，为了提高滤波精度，则必须在同一个衬底上制作大量尺寸不同的谐振空腔，这不必要地增大了系统的尺寸，且在某些谐振器工作同时而其他大部分谐振器处于空闲状态，系统利用率低下。

实用新型内容

因此，本实用新型的目的在于提供一种克服以上技术障碍的可调式谐振器。

本实用新型的可调式谐振器包括：

谐振腔，在衬底中，至少包括中心的第一谐振腔和外围的第二谐振腔；

第一堆叠结构，在第一谐振腔上，依次包括下电极第一部分、压电层第一部分和上电极第一部分；

第二堆叠结构，在第二谐振腔上，依次包括下电极第二部分、压电层第二部分和上电极第二部分；

第一绝缘层，在衬底上，位于下电极第一部分和下电极第二部分之间。

进一步包括第二绝缘层，在压电层第一部分和压电层第二部分上，位于上电极第一部分和上电极第二部分之间；优选地，压电层第一部分和压电层第二部分连接，或者由第二绝缘层间隔开。

其中，第一谐振腔、下电极第一部分、上电极第一部分在平视图中为多边形、圆形或椭圆形；优选地，第一谐振腔顶部尺寸大于下电极第一部分或上电极第一部分的尺寸，任选地，第二谐振腔顶部尺寸大于下电极第二部分或上电极第二部分的尺寸；优选地，下电极第一部分和上电极第一部分边缘对齐，下电极第二部分和上电极第二部分边缘对齐。

其中，向第二堆叠结构施加与第一堆叠结构不同的信号以调节可调式谐振器的谐振状态，所述谐振状态包括振幅、频率、相位的至少一个或其组合。