[实用新型]一种大温差晶体生长炉

权利要求书

1.一种大温差晶体生长炉，其特征在于，包括：坩埚托台，放置于坩埚托台上的坩埚，用于加热坩埚底部的加热器，用于冷却坩埚顶部的伸入式水冷壁，以及围绕坩埚布置的坩埚保温部件；其中，所述伸入式水冷壁自炉体水冷壁向下延伸并靠近坩埚顶部，所述坩埚保温部件用于阻隔所述伸入式水冷壁与加热器之间的热传输，以及对坩埚进行保温，所述坩埚托台为可移动式坩埚托台，用于托举坩埚在竖直方向上下移动并控制坩埚的轴向位置；还包括上下温度监控仪，用于监测所述坩埚上下表面中心处的温度。

2.如权利要求1所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，所述伸入式水冷壁包括伸入部，连接伸入部与炉体水冷壁的连接部，以及用于驱动伸入部在竖直方向上下移动的驱动部；其中，所述连接部为可变形连接部。

3.如权利要求2所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，所述伸入部为双层结构，中间通入循环冷却水，且底壁离坩埚顶部表面的距离大于0.1mm。

4.如权利要求1所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，所述加热器的结构为编织网或板式结构，加热方式为感应加热或电阻加热，加热形式为底部加热、侧部加热或组合式加热形式。

5.如权利要求1所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，所述坩埚保温部件由耐高温的金属材料或陶瓷材料制成，其热导率小于10W/(m·K)，耐受温度大于1500℃。

6.如权利要求5所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，所述坩埚保温部件套装于所述坩埚侧部，并与坩埚外侧壁形成间距，所述间距小于坩埚半径。

7.如权利要求1或5或6所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，所述坩埚保温部件阻隔所述伸入式水冷壁与加热器之间的热传输，使得坩埚顶部与底部之间形成大于300℃的温差。

8.如权利要求7所述的大温差晶体生长炉，其特征在于，还包括外围保温部件，所述外围保温部件为包括上屏、侧屏和下屏的钨保温屏，或者是由耐高温金属或陶瓷保温材料或其组合构成的保温结构。