[实用新型]一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路有效
| 申请号： | 202021465049.1 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN212627830U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李志荣 | 申请（专利权）人： | 广东奥普特科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/015 | 分类号： | H03K3/015;H03K3/014;H03K3/353 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 潘俊达;王滔 |
| 地址： | 523000 广东省东莞*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自适应 输入 电压 沟道 mos 驱动 电路 | ||
1.一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：包括第一MOS管Q1、三极管Q2、第一电阻R1、二极管D1、第一恒流开关模块、第二恒流开关模块及触发源，所述第一MOS管Q1的栅极分别与所述三极管Q2的发射极和第一恒流开关模块连接，所述第一MOS管Q1的漏极连接有电路输出端，所述第一MOS管Q1的源极分别连接电路的输入端和所述三极管Q2的集电极，所述二极管D1设置在所述三极管Q2的发射极和基极之间，所述三极管Q2的基极分别连接所述二极管D1的负极和所述第二恒流开关模块，所述第一电阻R1的一端与所述电路输入端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述三极管Q2的基极连接，所述第一恒流开关模块和所述第二恒流开关模块均与所述触发源连接。
2.如权利要求1所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述二极管D1的正极分别连接所述第一MOS管Q1的栅极、所述三极管Q2的发射极及所述第一恒流开关模块，所述二极管D1的负极分别连接所述第一电阻R1、所述三极管Q2的发射极及第二恒流开关模块。
3.如权利要求1所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述第一恒流开关模块包括依次连接的第二电阻R2、第一恒流二极管D2及第二MOS管Q3。
4.如权利要求3所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述第二恒流开关模块包括依次连接的第三电阻R3、第二恒流二极管D3及第三MOS管Q4。
5.如权利要求4所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述第二MOS管Q3的栅极和第三MOS管Q4的栅极相连，所述第二MOS管Q3的源极和第三MOS管Q4的源极均接地，所述第二MOS管Q3的漏极和第三MOS管Q4的漏极分别连接所述第一恒流二极管D2和第二恒流二极管D3。
6.如权利要求4所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述第二电阻R2的一端连接所述第一MOS管Q1的栅极，所述第二电阻R2的另一端连接所述第一恒流二极管D2。
7.如权利要求4所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述第三电阻R3的一端连接所述三极管Q2基极，所述第三电阻R3的另一端连接所述第二恒流二极管D3。
8.如权利要求4所述的一种自适应输入电压的P沟道MOS管驱动电路，其特征在于：所述第二MOS管Q3和所述第三MOS管Q4均为N沟道MOS管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东奥普特科技股份有限公司，未经广东奥普特科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021465049.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种即插即用的智能家居无线控制开关
- 下一篇：一种工业布匹脱水机用送布装置
