[实用新型]一种三极管底座的复合型烧结工装有效
| 申请号: | 202021450106.9 | 申请日: | 2020-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN212257359U | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
| 发明(设计)人: | 欧旦;杨小宽 | 申请(专利权)人: | 贵州源望电子产品有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 遵义市创先知识产权代理事务所(普通合伙) 52118 | 代理人: | 刘创先 |
| 地址: | 563000 贵州省遵义*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 三极管 底座 复合型 烧结 工装 | ||
本实用新型公开了一种三极管底座的复合型烧结工装,属于三极管烧结工艺技术领域,包含环框工装、底板底座和底板固定块,所述底板底座外形为长方体,内部有底板槽;所述底板固定块外形为长方体,内部有多个上过渡片槽,所述上过渡片槽上方有矩形状的绝缘片槽,所述绝缘片槽和上过渡片槽之间有通孔;所述环框工装外形为长方体,其内部有凹槽,其凹槽左右两侧有台阶式的分层;所述底板固定块嵌入在底板底座,所述环框工装在底板底座上;所述底板底座放置三极管底座底板,所述上过渡片槽放置三极管底座上过渡片,所述绝缘片槽放置三极管底座陶瓷绝缘片和底过渡片,所述分层上放置三极管底座的端子。这种烧结工装简单实用,质量可靠、稳定,降低成本。
技术领域
本实用新型涉及三极管烧结工艺技术领域,具体为一种三极管底座的复合型烧结工装。
背景技术
三极管是一种由半导体材料经过加工制造而成,和其他半导体器件一样,三极管也是一种对温度较为敏感的元器件。在实际运行中,三极管芯片会发热,产生的热量如果无法及时释放,将会烧毁三极管。
三极管器件是具有放大能力的特殊器件,由于大功率三极管发热量较大,散热技术就显得尤为重要。已有的大功率三极管大多数为合面型结构,一般在台面形成后只在管芯四周台面生长一层钝化层,但是由于钝化层较薄,往往在后道工序中容易损伤,管芯烧结后会产生软击穿,低击穿,漏电流大等问题,是成品率较低。现有大功率三极管底座烧结工艺设置了金属散热片以提高散热能力,由于大功率三极管或开关三极管等工作时,容易击穿烧毁三极管,因此必须加上绝缘层,现有的绝缘层一般为橡胶层,导热效果差,同时,橡胶层容易老化破损,有漏电隐患。
在航天航空领域对三极管的耐用性和稳定性要求极高,大功率三极管的底座烧结工艺要求更严格,现有的烧结工艺还存在较明显的缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述背景技术困难,提供一种三极管底座的复合型烧结工装。
为达到上述目的,采用的技术方案为:一种三极管底座的复合型烧结工装,包含环框工装、底板底座和底板固定块,其特征是:所述底板底座外形为长方体,内部有底板槽;所述底板固定块外形为长方体,内部有多个上过渡片槽,所述上过渡片槽上方有矩形状的绝缘片槽,所述绝缘片槽和上过渡片槽之间有通孔;所述环框工装外形为长方体,其内部有凹槽,其凹槽左右两侧有台阶式的分层;所述底板固定块嵌入在底板底座,所述环框工装在底板底座上;所述底板底座放置三极管底座底板,所述上过渡片槽放置三极管底座上过渡片,所述绝缘片槽放置三极管底座陶瓷绝缘片和底过渡片,所述分层上放置三极管底座的端子。
进一步,所述底板槽边角为圆角状,所述底板固定块边缘角为圆角状。
进一步,所述通孔让三极管底座底过渡片和上过渡片接触。
进一步,所述底板固定块的外边框长度与底板底座的底板槽长度一致,所述环框工装外边框长度与底板底座外边框长度一致。
进一步,所述底板槽深度为3.2mm,所述上过渡片槽深度3.2 mm,绝缘片槽深度1.8mm。
进一步,所述分层为3个,第一层距离环框工装底部4.65 mm,第二层距离环框工装底部6.1 mm,第三层距离环框工装底部8.2 mm。
进一步,所述环框工装所用材料为高纯石墨;所述底板底座所用材料为高纯石墨;所述底板固定板所用材料为高纯石墨。
采用上述方案的有益效果为:这种三极管底座的复合型烧结工装,在现有三极管底座烧结工艺基础上,以导热性更好的陶瓷绝缘片铺设,过渡片的夹层设置,既不影响导电性能,还能及时散热,烧结尺寸有保障,简单实用,烧结质量可靠、稳定,有利于降低生产成本。
附图说明
图1为使用本实用新型一种三极管底座的复合型烧结工装成品装配图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





