[实用新型]低能耗中空玻璃有效
| 申请号: | 202021436125.6 | 申请日: | 2020-07-20 |
| 公开(公告)号: | CN213803540U | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | 董清世;张晋;解洪丹;徐景逊 | 申请(专利权)人: | 信义玻璃(天津)有限公司 |
| 主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
| 代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李金伟 |
| 地址: | 300000 天津市滨*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 能耗 中空玻璃 | ||
1.低能耗中空玻璃,其特征在于,包括玻璃基板以及设置于所述玻璃基板表面的膜层组件,所述膜层组件包括依次呈层叠设置的第一电介质干涉层、半导体低辐射层、合金光吸收层、电介质抗氧化层、第二电介质干涉层、第三电介质干涉层、第一复合介质保护层以及第二复合介质保护层,所述第一电介质干涉层设置于所述玻璃基板上;
所述电介质抗氧化层ZnAlOX层,所述电介质抗氧化层的厚度为20~30nm;所述第二电介质干涉层和所述第三电介质干涉层均为TiO2层或SiO2层;所述第二电介质干涉层厚度为10~20nm,所述第三电介质干涉层为15~20nm;所述第一复合介质保护层和所述第二复合介质保护层均为AZO层或Nb2O5层。
2.如权利要求1所述的低能耗中空玻璃,其特征在于,所述合金光吸收层为NiCrN X层,所述合金光吸收层的厚度均为16nm~18nm。
3.如权利要求1所述的低能耗中空玻璃,其特征在于,所述半导体低辐射层为ITO层,所述半导体低辐射层的厚度为9nm~12nm。
4.如权利要求1所述的低能耗中空玻璃,其特征在于,所述第一电介质干涉层为Al2O3层,所述第一电介质干涉层的厚度为25~35nm。
5.如权利要求1至4任一项所述的低能耗中空玻璃,其特征在于,所述玻璃基板为白玻基板或超白原片基板。
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