[实用新型]存储芯片物理销毁电路有效
| 申请号: | 202021384768.0 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN212782726U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
| 发明(设计)人: | 吴礼优;李振华 | 申请(专利权)人: | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/30 | 分类号: | G11C16/30;G11C16/14 |
| 代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 郑昱 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 芯片 物理 销毁 电路 | ||
1.一种存储芯片物理销毁电路,其特征在于,包括单片机、销毁电源和分压电路;
所述销毁电源连接于所述分压电路的两端,所述销毁电源与所述单片机的第一输入输出引脚连接,所述单片机的中断引脚与所述分压电路的分压输出端连接;
所述分压电路的分压比例大于5/U0且小于2/U0,所述U0为所述销毁电源的销毁电压数值。
2.根据权利要求1所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述分压电路包括第一电阻和第二电阻;
所述销毁电源的销毁电压端与所述第一电阻的第一端电连接,所述第一电阻的第二端为所述分压输出端且同时与所述第二电阻的第一端、所述单片机的中断引脚电连接,所述第二电阻的第二端与所述销毁电源的接地端连接;
所述第一电阻和所述第二电阻的阻值比大于(0.5U0-1)且小于(0.2U0-1)。
3.根据权利要求2所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源的销毁电压为[20V,36V],所述第一电阻和所述第二电阻的阻值比大于(U0/3.6-1)且小于(0.2U0-1)。
4.根据权利要求1所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源包括升压芯片;
所述升压芯片的输入引脚与输入电压端连接,所述升压芯片的使能引脚与所述单片机的第一输入输出引脚连接,所述升压芯片的输出引脚与所述销毁电源的销毁电压端连接。
5.根据权利要求4所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源还包括第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容以及第四滤波电容;
所述输入电压端同时与所述第一滤波电容的第一端和所述第二滤波电容的第一端连接,所述第一滤波电容的第二端和所述第二滤波电容的第二端同时与接地端连接;
所述销毁电源的销毁电压端同时与所述第三滤波电容的第一端和所述第四滤波电容的第一端连接,所述第三滤波电容的第二端和所述第四滤波电容的第二端同时与接地端连接。
6.根据权利要求4所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源还包括下拉电阻,所述升压芯片的使能引脚与所述下拉电阻的第一端电连接,所述下拉电阻的第二端与接地端连接。
7.根据权利要求4所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源还包括第一反馈电阻和第二反馈电阻;
所述升压芯片的反馈引脚同时与所述第一反馈电阻的第一端、所述第二反馈电阻的第一端连接,所述第一反馈电阻的第二端与接地端连接,所述第二反馈电阻的第二端与所述升压芯片的输出引脚连接。
8.根据权利要求4所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述销毁电源还包括储能电感,所述储能电感的第一端与所述升压芯片的输入引脚连接且第二端与所述升压芯片的输出引脚连接。
9.根据权利要求4所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述升压芯片的输出引脚与所述销毁电压端之间还设置有二极管,所述二极管的阳极与所述升压芯片的输出引脚连接,所述二极管的阴极与所述销毁电源连接。
10.根据权利要求2或3所述的存储芯片物理销毁电路,其特征在于,所述第一电阻的取值范围为2KΩ到10KΩ,所述第二电阻的取值范围为200Ω到1KΩ。
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