[实用新型]一种晶闸管芯片及晶闸管有效
| 申请号： | 202021378945.4 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN212659546U | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王东东;操国宏;王政英;姚震洋;高军;银登杰;郭润庆;刘军 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;陈敏 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶闸管 芯片 | ||
1.一种晶闸管芯片，其特征在于，包括：
位于阳极P型层之上的N型基区，且位于所述N型基区之上的P型基区；
位于所述P型基区部分区域内且上表面与所述P型基区上表面齐平的阴极N型区，其中所述阴极N型区包括阴极发射N型区和在平行于P型基区表面方向上更靠近所述芯片中心的门极N型区；
位于所述阴极发射N型区之上且显露部分所述阴极发射N型区上表面的阴极金属；
位于所述P型基区表面之上且同时与所述P型基区和所述门极N型区接触的放大门极金属，及位于所述P型基区上表面之上且不与所述门极N型区接触的中心门极金属；
位于未被阴极金属、放大门极金属和中心门极金属覆盖的P型基区之上指定厚度的介质薄膜层；
及所述阳极P型层之下的阳极金属。
2.根据权利要求1所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述介质薄膜层厚度远小于所述放大门极金属和所述阴极金属厚度。
3.根据权利要求2所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述介质薄膜层的指定厚度设置为20～500nm。
4.根据权利要求3所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述介质薄膜层包括DLC薄膜、氮化铝薄膜；
所述放大门极金属和所述阴极金属厚度相同。
5.根据权利要求4所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述芯片总厚度设置为1.2mm；
所述放大门极金属与所述阴极金属厚度设置为30μm。
6.根据权利要求5所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述N型基区的载流子浓度设置为1013cm-3。
7.根据权利要求6所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述阳极P型层和P型基区包括铝元素掺杂，载流子浓度设置为1014cm-3～1016cm-3。
8.根据权利要求7所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述阴极N型区包括磷元素掺杂，载流子浓度设置为1019cm-3。
9.根据权利要求8所述的晶闸管芯片，其特征在于，
所述阳极金属、阴极金属和门极金属材质包括铝。
10.一种晶闸管，其特征在于，
包括权利要求1至9中任一项的晶闸管芯片。
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