[实用新型]释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴、喷嘴臂和基片处理装置有效
| 申请号: | 202021375493.4 | 申请日: | 2020-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN213278016U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 天野嘉文;相浦一博;植木达博 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 释放 用于 处理 喷嘴 装置 | ||
1.一种释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴,其特征在于,包括:
喷嘴主体部,其具有:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与所述第1流路连通的第2流路,并相对于所述第1主体部弯曲的第2主体部;以及
角度改变机构,其相对于固定所述喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的所述喷嘴主体部的角度。
2.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述角度改变机构是能够改变相对于所述固定部件的安装位置的连接部。
3.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述角度改变机构是以所述第1主体部可转动地方式支承所述第1主体部的连接部。
4.如权利要求3所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述喷嘴主体部和所述连接部包括使所述角度位置对准的位置对准部。
5.如权利要求1所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
包括喷嘴释放部,其形成有与所述第2流路连通的释放流路,并能够将处理液释放到基片,
所述喷嘴释放部相对于所述第2主体部的前端可拆装。
6.如权利要求5所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述释放流路的直径比所述第2流路的直径小。
7.如权利要求5所述的处理液释放喷嘴,其特征在于:
所述喷嘴释放部的内壁面与所述第1流路和所述第2流路的内壁面相比亲水性高。
8.一种喷嘴臂,其特征在于,包括:
权利要求1~7中任一项所述的处理液释放喷嘴;
所述固定部件;
能够安装所述固定部件的臂部;和
使所述固定部件或者所述臂部在水平方向上转动的转动机构。
9.如权利要求8所述的喷嘴臂,其特征在于:
所述转动机构能够使所述固定部件相对于所述臂部转动。
10.如权利要求8所述的喷嘴臂,其特征在于:
包括释放气体的气体释放喷嘴,所述气体将碰撞到基片而飞散到所述基片的上方的处理液排出到比所述基片靠外侧处。
11.如权利要求10所述的喷嘴臂,其特征在于:
所述气体释放喷嘴配置在比所述处理液释放喷嘴靠内侧处。
12.如权利要求10所述的喷嘴臂,其特征在于:
所述气体释放喷嘴以水平方向上比所述处理液相对于基片切线的释放角度大的释放角度,释放所述气体。
13.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
权利要求8所述的喷嘴臂;和
使所载置的基片旋转的基片旋转部,
所述处理液释放喷嘴向所述基片的周缘释放处理液。
14.一种基片处理装置,其特征在于,包括:
权利要求8所述的喷嘴臂;
使所载置的基片旋转的基片旋转部;和
控制所述处理液释放喷嘴和所述基片旋转部的控制部,
所述控制部按照每种基片处理来设定所述转动机构中的转动角度,以所设定的所述转动角度向基片释放处理液。
15.如权利要求14所述的基片处理装置,其特征在于:
所述控制部在所述基片处理中改变所述转动角度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





