[实用新型]设置有漏流抑制结构的有机发光显示装置有效
申请号: | 202021352457.6 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN212342631U | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 周志伟;钱栋;沈永财;李嘉灵 | 申请(专利权)人: | 上海视涯技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 林力嘉 |
地址: | 200000 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 设置 有漏流 抑制 结构 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,其特征在于,包括多个在基板上呈矩阵排列的像素单元,每个所述像素单元包括依次设置于所述基板之上的阳极、公共有机发光层、阴极层;在相邻所述像素单元之间设置有漏流抑制结构,所述漏流抑制结构包括导电层以及覆盖所述导电层的绝缘层;所述公共有机发光层和所述漏流抑制结构有交叠。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述阳极包括依次设置于所述基板之上的反射电极和透明电极。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述反射电极和所述阴极层之间形成微振腔,所述像素单元包括多种像素单元,所述多种像素单元的透明电极的厚度各不相同;所述导电层包括依次设置于所述基板之上的反射金属层和透明导电层,所述透明导电层的厚度和所述多种像素单元中厚度最大的透明电极的厚度相同。
4.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述导电层和所述反射电极为同层结构;在所述阳极中,所述反射电极的宽度小于所述透明电极的宽度。
5.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述反射电极和所述阴极层之间形成微振腔,所述像素单元包括多种像素单元,所述多种像素单元的反射电极厚度各不相同;所述导电层包括设置于所述基板之上的反射金属层,所述反射金属层的厚度和所述多种像素单元中厚度最大的反射电极的厚度相同。
6.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述反射电极和所述阴极层之间形成微振腔,所述像素单元包括多种像素单元,所述多种像素单元的反射电极位于不同膜层;所述导电层包括设置于所述基板之上的反射金属层,所述反射金属层和所述反射电极中最靠近所述绝缘层的反射电极同层设置。
7.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述阳极还包括位于所述反射电极下层的欧姆接触层,所述导电层和所述欧姆接触层同层设置。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述绝缘层为所述有机发光显示装置的像素定义层。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置为硅基微型有机发光显示装置,所述基板为单晶硅基板;所述像素单元还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有钝化层,所述钝化层内设置有过孔,所述薄膜晶体管通过所述过孔和所述阳极电性连接;所述导电层由所述单晶硅基板的顶层金属形成,所述绝缘层为所述钝化层。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其特征在于,在所述导电层上方的钝化层的厚度小于所述薄膜晶体管上方的钝化层的厚度。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置为硅基微型有机发光显示装置,所述基板为单晶硅基板;所述像素单元还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管上方设置有钝化层,所述钝化层内设置有过孔,所述薄膜晶体管通过所述过孔和所述阳极电性连接;所述导电层为由所述单晶硅基板的顶层金属形成,所述绝缘层为所述钝化层和有机发光显示装置的像素定义层,并且所述像素定义层只和所述导电层重叠设置。
12.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,当所述像素单元显示高灰阶时,所述导电层接浮空电位;或者,当所述像素单元显示高灰阶时,所述导电层接一像素单元内的电位,所述像素单元内的电位可以是发光信号电位、复位信号电位或者电源信号电位;或者,所述导电层连接至相邻像素单元的阳极电位。
13.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述像素单元包括蓝色像素单元、绿色像素单元和红色像素单元;所述漏流抑制结构至少环绕所述蓝色像素单元、所述绿色像素单元、所述红色像素单元中的一种的部分区域设置。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置为硅基微型有机发光显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的