[实用新型]一种应用于晶圆后处理的马兰戈尼干燥装置有效
申请号: | 202021343446.1 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN211507584U | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 李长坤;曹自立;申兵兵;赵德文;路新春 | 申请(专利权)人: | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
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地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 晶圆后 处理 马兰 干燥 装置 | ||
1.一种应用于晶圆后处理的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,包括:
用于在晶圆从清洗液面倾斜升起的过程中向晶圆第一表面附着的弯液面喷射干燥气体的第一喷气杆和用于驱动所述第一喷气杆绕其轴线方向旋转的第一旋转驱动模块、以及向晶圆第二表面附着的弯液面喷射干燥气体的第二喷气杆和用于驱动所述第二喷气杆绕其轴线方向旋转的第二旋转驱动模块,其中,所述弯液面为气液固三相交界区域;
所述第一喷气杆和所述第二喷气杆位于不同高度以使第一喷气杆喷射到晶圆第一表面的弯液面处的干燥气体浓度与第二喷气杆喷射到晶圆第二表面的弯液面处的干燥气体浓度相差比例不超过20% 。
2.如权利要求1所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述第一喷气杆的位置高度高于所述第二喷气杆,所述第一喷气杆的轴心和所述第二喷气杆的轴心之间的连线方向与水平方向的夹角θ满足0°<θ≤40°。
3.如权利要求2所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述第一喷气杆外侧面最接近晶圆处距晶圆第一表面的垂直距离l1满足1mm<l1≤15mm。
4.如权利要求3所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述第二喷气杆外侧面最接近晶圆处距晶圆第二表面的垂直距离 l2满足1mm<l2≤15mm。
5.如权利要求4所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述第一喷气杆的气体喷射方向与水平方向的夹角为10°至80°,所述第二喷气杆的气体喷射方向与水平方向的夹角为10°至70°。
6.如权利要求2所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述第一喷气杆和所述第二喷气杆为结构相同的中空的喷气杆,所述喷气杆沿长度方向间隔设置有多个用于同时喷射干燥气体的喷气孔或者设置有细长狭缝。
7.如权利要求6所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述喷气孔的直径d1不超过2mm,相邻的两个喷气孔之间的间距l3不大于30mm。
8.如权利要求6所述的马兰戈尼干燥装置,其特征在于,所述细长狭缝的长度l4为300mm至400mm,其宽度d2不超过1mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造