[实用新型]一种输入端保护电路及电源转换装置有效
| 申请号: | 202021331771.6 | 申请日: | 2020-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN213367627U | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
| 发明(设计)人: | 王威;邝维峰;何马超 | 申请(专利权)人: | 苏州明纬科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02M3/00 |
| 代理公司: | 苏州市指南针专利代理事务所(特殊普通合伙) 32268 | 代理人: | 金香云 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 输入 保护 电路 电源 转换 装置 | ||
1.一种输入端保护电路,应用于一直流-直流转换器之中,其特征在于,所述直流-直流转换器具有一直流-直流转换模块与一输入电容,所述直流-直流转换模块具有耦接一直流电源的一第一供电端的一第一输入端和耦接一接地端的一第二输入端,且所述输入电容以其一第一端和一第二端耦接于第一输入端与第二输入端之间;其中,所述输入端保护电路包括一放电回路截断单元和一控制单元,在直流-直流转换器正常工作的情况下,所述控制单元用于依据至少一参考信号而控制所述放电回路截断单元形成一信道,使得所述输入电容透过所述信道而耦接所述直流电源;并且,在直流-直流转换器发生输入端短路的情况下,所述控制单元用于依据至少一所述参考信号而控制放电回路截断单元断开所述信道,从而切断所述输入电容与直流电源之间的耦接。
2.如权利要求1所述的输入端保护电路,其特征在于,所述放电回路截断单元耦接于直流电源的一第二供电端与所述输入电容的第二端之间;
所述控制单元同时耦接所述放电回路截断单元、所述输入电容的第二端、所述接地端、与一所述参考信号;
其中,在直流-直流转换器正常工作的情况下,所述控制单元用于依据所述参考信号而控制放电回路截断单元形成一信道,使得所述输入电容的第二端透过放电回路截断单元的信道而耦接直流电源的第二供电端;
其中,在直流-直流转换器发生输入端短路的情况下,所述控制单元用于依据所述参考信号而控制放电回路截断单元断开信道,从而切断所述输入电容的第二端与所述直流电源的第二供电端之间的耦接。
3.如权利要求2所述的输入端保护电路,其特征在于,所述放电回路截断单元包括:
一MOSFET组件,具有一汲极端、一源极端、一闸极端;
一第一二极管,以其一阳极端和一阴极端分别耦接所述MOSFET组件的一汲极端与第一电容的一第一端;
一第一电容,以其一第一端耦接所述第一二极管的一阴极端,且以其一第二端耦接所述MOSFET组件的一源极端;以及
一第一电阻,与所述第一电容并联。
4.如权利要求3所述的输入端保护电路,其特征在于,所述控制单元包括:
一运算放大器,具有一正输入端、一负输入端、一正偏压端、一负偏压端、以及一输出端,其中,所述正输入端耦接所述参考信号,所述负输入端耦接所述MOSFET组件的所述汲极端,所述正偏压端耦接一工作电压,且所述负偏压端耦接所述接地端;
一BJT组件,具有一基极端、一射极端和一集极端,其中,所述基极端耦接所述运算放大器的输出端,所述集极端耦接所述接地端,且所述射极端透过一射极电阻而耦接至所述MOSFET组件的所述闸极端;以及
一第二电阻,其一端耦接所述工作电压,且其另一端耦接所述BJT组件的基极端。
5.如权利要求4所述的输入端保护电路,其特征在于,所述BJT组件为一PNP型BTJ组件,且所述运算放大器为一比较器或一误差放大器。
6.如权利要求4所述的输入端保护电路,其特征在于,所述参考信号为一参考电压信号或一接地端电压信号。
7.如权利要求4所述的输入端保护电路,其特征在于,还包括:
一第一滤波器,包括一第三电阻与一第二电容,其中,所述第三电阻耦接于所述参考信号与所述接地端之间,且所述第二电容与所述第三电阻并联;
一第二滤波器,包括一第四电阻与一第三电容,其中,所述第四电阻耦接于所述运算放大器的所述负输入端与所述接地端之间,且所述第三电容与所述第四电阻并联;
一第四电容,耦接于所述输入电容的第二端和所述工作电压之间;
一第五电阻,耦接于所述射极电阻与所述MOSFET组件的闸极端之间;
一第六电阻,耦接于所述射极电阻与所述第一电容的第二端之间;
一第七电阻,耦接于所述射极电阻与所述工作电压之间;
一第八电阻,耦接于所述MOSFET组件的汲极端与所述运算放大器的负偏压端之间;以及
一第九电阻,耦接于所述运算放大器的正输入端与所述参考信号之间。
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