[实用新型]一种压电半导体薄膜的极化实验装置有效

专利信息
申请号: 202021329821.7 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN213181805U 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 傅小龙 申请(专利权)人: 江西工程学院
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R1/04;G01R1/02
代理公司: 深圳市润启知识产权代理事务所(普通合伙) 44664 代理人: 孟丽娟
地址: 338000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 压电 半导体 薄膜 极化 实验 装置
【说明书】:

实用新型提供一种压电半导体薄膜的极化实验装置,包括实验箱、承载板、自锁式移动轮以及箱门,所述承载板上端面安装有实验箱,所述实验箱前端面连接有箱门,所述承载板下端面安装有自锁式移动轮,所述承载板上端面装配有真空机,所述实验箱右端面安装有右承重板,所述右承重板上端面装配有制冷机,所述实验箱左端面安装有左承重板,所述左承重板上端面装配有风机,所述实验箱内壁左侧装配有加热管,所述加热管外侧安装有隔热板,所述隔热板右端面连接有左隔热密封门,所述实验箱内壁右侧装配有制冷管,所述制冷机左端面连接有制冷管,所述制冷管外侧安装有耐热板,本实用新型自由切换高、低温以及真空条件,调节灵活,安全性高。

技术领域

本实用新型属于压电半导体技术领域,具体为一种压电半导体薄膜的极化实验装置。

背景技术

压电半导体是指有压电效应的半导体材料。由于外延单晶层换能器和薄膜换能器的发展,压电半导体材料如:CdS、ZnO等化合物,都可以使用真空蒸发或溅射的技术来形成很薄的薄膜。压电半导体薄膜材料在人工极化前晶粒有许多自发极化的电畴,有一定的极化方向,但在晶粒内部无序杂乱的分布,极化相应相互抵消,整体极化强度为零,对外不显示压电效应。只有采用适当的极化手段,对压电半导体薄膜材料进行充分极化,使材料内各向异性的多畴结构随强电场走向排列,极性一致,从而表现出宏观的压电性能。要充分挖掘其压电性能,必须采用最佳极化条件,即选定合适的极化电场、极化温度和极化时间进行极化。

现有技术中,现有的压电半导体薄膜的极化实验装置操作不够安全,直接暴露在空气中进行实验,实验条件不够精准,功能较为单一,难以达到合适的高温条件,低温条件以及真空条件,为此,我们提出一种压电半导体薄膜的极化实验装置。

实用新型内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种压电半导体薄膜的极化实验装置,其优点在于本实用新型自由切换高、低温以及真空条件,调节灵活,安全性高。

2.技术方案

为解决上述问题,本实用新型采用如下的技术方案。

一种压电半导体薄膜的极化实验装置,包括实验箱、承载板、自锁式移动轮以及箱门,所述承载板上端面安装有实验箱,所述实验箱前端面连接有箱门,所述承载板下端面安装有自锁式移动轮,所述承载板上端面装配有真空机,所述实验箱右端面安装有右承重板,所述右承重板上端面装配有制冷机,所述实验箱左端面安装有左承重板,所述左承重板上端面装配有风机,所述实验箱内壁左侧装配有加热管,所述加热管外侧安装有隔热板,所述隔热板右端面连接有左隔热密封门,所述实验箱内壁右侧装配有制冷管,所述制冷机左端面连接有制冷管,所述制冷管外侧安装有耐热板,所述耐热板左端面连接有右隔热密封门,所述实验箱内部安装有抽拉板,所述抽拉板右端面安装有滑杆,所述滑杆外侧包裹有密封垫。

进一步的,所述抽拉板上端面设置有垫板,所述实验箱底部设置有垫板。

进一步的,所述实验箱左端面开设有通风口。

进一步的,所述左隔热密封门左端面固定有插杆,所述隔热板右端面开设有插槽,且插杆与插槽相匹配,所述右隔热密封门右端面固定有插杆,所述耐热板左端面开设有插槽,且插杆与插槽相匹配。

进一步的,所述实验箱内壁左右开设有滑槽,所述密封垫与滑槽相匹配。

进一步的,所述风机通过导线与外界电源相连接,所述制冷机通过导线与外界电源相连接,所述真空机通过导线与外界电源相连接,所述加热管通过导线与外界电源相连接。

3.有益效果

相比于现有技术,本实用新型的优点在于:

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