[实用新型]一种钙钛矿太阳能电池组件有效
申请号: | 202021320664.3 | 申请日: | 2020-07-07 |
公开(公告)号: | CN212257421U | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 孙建侠;方主亮;陈伟中;乐嘉旭;刘旭东;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 昆山协鑫光电材料有限公司;苏州协鑫纳米科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 组件 | ||
本实用新型揭示了一种钙钛矿太阳能电池组件。所述钙钛矿太阳能电池组件包括间隔设置在透明载体上的多个太阳能电池单元,太阳能电池单元包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的钙钛矿主体结构;其中,相邻两个太阳能电池单元的钙钛矿主体结构及第二电极均被第三刻线分隔,并且钙钛矿太阳能电池组件还包括与第三刻线配合的防护结构,防护结构至少用于将裸露在第三刻线内的钙钛矿光敏层与外界环境隔离。本实用新型提供的钙钛矿太阳能电池组件,通过设置与第三刻线配合的防护结构,隔绝第三刻线裸露出来的钙钛矿光敏层与外界环境接触,从而防止水氧对钙钛矿光敏层的破坏,进而有效的提高钙钛矿太阳能电池组件的稳定性和光伏性能。
技术领域
本实用新型属于光伏器件技术领域,具体涉及一种钙钛矿太阳能电池组件。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是目前快速发展的一类太阳能电池,具有效率高、成本低、制备简单等特点。日前,越来越多的科研机构和公司大力推广钙钛矿太阳能组件的技术的研发和应用。现在,钙钛矿太阳能电池实验室的小面积器件的效率已经达到了25.2%,钙钛矿太阳能组件的效率已经达到了商业化应用的标准。但是,组件的稳定性仍然是许多公司和研发机构关注和需要攻克的难点和重点。
现有技术中,钙钛矿太阳能组件工艺在第三划刻区域刻线完成后就直接去封装。在封装的过程中,常用的封装胶膜是EVA(由于POE的流动性小,难加工,均匀性难控制,目前没有大规模使用)。EVA封装胶在热熔过程中会直接熔融流入第三划刻区域刻线凹槽处。但是,由于EVA存在应力作用,在正常使用中仍然会有水汽进入,导致在第三划刻区域刻线凹槽处裸露的钙钛矿光敏层被水氧破坏,从而影响了钙钛矿太阳能组件的光伏性能和稳定性。除此之外,EVA胶膜中的交联剂以及过氧化剂等物质与钙钛矿光敏层接触后会与钙钛矿光敏层发生缓慢的化学反应,从而破坏钙钛矿光敏层,导致钙钛矿太阳能组件的稳定性和光伏性能有所影响。针对现有技术的这一问题,有必要改进工艺解决这一难题。
发明内容
本实用新型的主要目的在于提供一种钙钛矿太阳能电池组件,以克服现有技术中存在的不足。
为实现前述目的,本实用新型实施例采用的技术方案包括:包括间隔设置在透明载体上的多个太阳能电池单元,所述太阳能电池单元包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的钙钛矿主体结构;其中,相邻两个太阳能电池单元的钙钛矿主体结构及第二电极均被第三刻线分隔,并且所述钙钛矿太阳能电池组件还包括与第三刻线配合的防护结构,所述防护结构至少用于将裸露在第三刻线内的钙钛矿光敏层与外界环境隔离。
进一步地,所述防护结构包括填充在第三刻线内的绝缘材料层。
进一步地,所述绝缘材料层的厚度与所述第三刻线的深度相同。
更进一步地,所述绝缘材料层的厚度为800nm-1000nm。
进一步地,所述防护结构包括覆盖于第三刻线上的隔绝结构,所述隔绝结构用于将所述第三刻线内腔与外部环境隔离。
更进一步地,所述隔绝结构包括贴附于第二电极表面的胶带。
进一步地,所述相邻两个太阳能电池单元的第一电极之间被第一刻线分隔,所述相邻两个太阳能电池单元的钙钛矿主体结构之间还被第二刻线分隔。
与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:
(1)本实用新型钙钛矿太阳能电池组件,通过在第三刻线内设置与第三刻线配合的防护结构,能够有效阻止空气中的水氧与第三刻线处裸露的钙钛矿光敏层接触,保护钙钛矿光敏层,提高了钙钛矿太阳能组件的稳定性;除此之外,防护结构的设置,能够有效的避免由于封装时EVA熔融流入第三刻线凹槽与钙钛矿光敏层接触引起的EVA中的交联剂和过氧化剂等物质与钙钛矿光敏层反应导致的钙钛矿太阳能组件稳定性和光伏性能受到影响的问题.
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的