[实用新型]一种简易的钙钛矿太阳电池封装结构有效
| 申请号: | 202021319031.0 | 申请日: | 2020-07-07 | 
| 公开(公告)号: | CN212725371U | 公开(公告)日: | 2021-03-16 | 
| 发明(设计)人: | 夏锐;项建军;冯志强;陈达明;陈奕峰 | 申请(专利权)人: | 天合光能股份有限公司 | 
| 主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 | 
| 代理公司: | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人: | 郭小丽 | 
| 地址: | 213031 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 简易 钙钛矿 太阳电池 封装 结构 | ||
本实用新型提供了一种简易的钙钛矿太阳电池封装结构,属于光伏电池制造技术领域。包括钙钛矿太阳电池,所述的钙钛矿太阳电池上设有第一金属电极和第二金属电极,钙钛矿太阳电池外包裹有封装材料,封装材料外夹设有上背板和下背板,所述的第一金属电极连接有第一金属引线,第二金属电极连接有第二金属引线,第一金属引线和第二金属引线分别延伸出封装材料外,且位于上背板和下背板外部。本实用新型能有效的对钙钛矿太阳电池进行封装,封装后器件稳定性得到明显提升;同时,与钙钛矿太阳电池电极接触的金属引线又能方便器件的实际测试与连接。
技术领域
本实用新型属于光伏电池制造技术领域,涉及一种简易的钙钛矿太阳电池封装结构。
背景技术
钙钛矿太阳电池凭借能量转换效率高和制备成本低的优势,在近几年得到了学术界和工业界的持续关注。然而,钙钛矿材料的稳定性问题是其商业化应用道路上的最大阻碍之一。常见的高效钙钛矿材料在和空气接触的过程中,会因空气中的水分和氧气而发生分解,因此,钙钛矿在未来的实际运用中要严格避免和外界空气的接触。通过对电池进行有效的封装尤为重要。
常用结构的钙钛矿太阳电池中,除了钙钛矿材料外,器件的功能层以及金属电极,同样需要进行完好的封装。特别是金属电极,若使用封装材料完好的包裹住电极时,钙钛矿太阳电池的测试和连接无法完成。因此需要设计出一种既能有效的对钙钛矿太阳电池进行封装,又不妨碍器件测试及连接的结构。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述问题,提供一种简易的钙钛矿太阳电池封装结构。
为达到上述目的,本实用新型采用了下列技术方案:
一种简易的钙钛矿太阳电池封装结构,包括钙钛矿太阳电池,所述的钙钛矿太阳电池上设有第一金属电极和第二金属电极,钙钛矿太阳电池外包裹有封装材料,封装材料外夹设有上背板和下背板,所述的第一金属电极连接有第一金属引线,第二金属电极连接有第二金属引线,第一金属引线和第二金属引线分别延伸出封装材料外,且位于上背板和下背板外部。
进一步的,所述的钙钛矿太阳电池包括衬底,衬底上设有透明导电层,透明导电层上设有电子传输层,电子传输层上设有钙钛矿层,钙钛矿层上设有空穴传输层,第一金属电极设在所述的空穴传输层上,第二金属电极设置透明导电层上。
进一步的,所述的第一金属电极与第一金属引线之间设有第一导电胶,所述的第二金属电极与第二金属引线之间设有第二导电胶,所述的上背板和下背板之间具有供第一金属引线和第二金属引线穿出的空隙。
进一步的,所述的衬底为玻璃、硅片、聚对苯二甲酸乙二醇酯板或聚酰亚胺板,所述的透明导电层的材料为FTO、ITO、AZO、GZO或Ag纳米线,电子传输层的材料为TiO2、SnO2、ZnO2、IZO、富勒烯及衍生物、BaSnO3或AZO中的一种或多种,所述的钙钛矿层为化学式为ABX3型的钙钛矿材料,其中A为Cs、Rb、CH3NH3或CH2NH22中的一种或多种,B为Pb,X为I或Br中的一种或多种,所述的空穴传输层的材料为NiOx、CuSCN、CuAlO2或PTAA,第一金属电极和第二金属电极的材料分别为Au、Ag、Al或Cu。
进一步的,第一导电胶和第二导电胶的材料为掺杂导电粒子和分散剂的树脂基体。
进一步的,树脂基体包括环氧树脂、有机硅树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、聚氨酯或丙烯酸树脂。
进一步的,所述的第一金属引线和第二金属引线的材料分别为Au、Ag、Al或Cu。
进一步的,所述的上背板和下背板的材料分别为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





