[实用新型]连接结构、绝缘栅双极型晶体管模块和设备有效
| 申请号： | 202021295386.0 | 申请日： | 2020-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN213278069U | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王咏;闫鹏修 | 申请（专利权）人： | 广东芯聚能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/15;H01L23/373;H01L29/739 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黎扬鹏 |
| 地址： | 511458 广东省广州市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接 结构 绝缘 栅双极型 晶体管 模块 设备 | ||
1.连接结构，其特征在于，包括：
陶瓷覆铜板，具有第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面沿所述陶瓷覆铜板的高度方向相对设置；
芯片，与所述第一表面固定连接；
底板，设置有安装槽，所述安装槽容纳所述第二表面；
填充层，设置于所述第二表面与所述安装槽的内壁面之间，与所述第二表面以及所述安装槽的内壁面接触，所述填充层为液体金属或相变材料。
2.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：所述陶瓷覆铜板还包括侧面，所述侧面位于所述第一表面和所述第二表面之间，所述侧面的至少一部分位于所述安装槽内。
3.根据权利要求2所述的连接结构，其特征在于：所述填充层位于所述侧面和所述安装槽的内壁面之间，且与所述侧面接触。
4.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：所述安装槽的深度小于或等于所述第二表面的高度。
5.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：所述填充层为通过灌注、涂敷和安装中的其中一种方式设置。
6.根据权利要求1所述的连接结构，其特征在于：所述芯片与所述第一表面通过连接层连接。
7.一种绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于：包括如权利要求1-6任一项所述的连接结构。
8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于：还包括硅凝胶，所述硅凝胶覆盖所述芯片、所述陶瓷覆铜板和所述底板。
9.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管模块，其特征在于：还包括端子，所述端子用于电性连接所述芯片和外部电路。
10.一种设备，其特征在于：包括如权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管模块。
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