[实用新型]一种改良型mos管防静电结构有效

专利信息
申请号: 202021285204.1 申请日: 2020-07-03
公开(公告)号: CN212115755U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 吕绍明 申请(专利权)人: 深圳市南芯微电子有限公司
主分类号: H05F1/00 分类号: H05F1/00
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 张建斌
地址: 518000 广东省深圳市龙华区观澜*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 改良 mos 静电 结构
【权利要求书】:

1.一种改良型mos管防静电结构,包括管帽(1)和若干设于管帽(1)上的引脚(2),其特征在于:所述管帽(1)的表面设有防静电膜(10),所述管帽(1)的侧面设有若干引脚插槽(11),所述引脚(2)插设于引脚插槽(11)内部,所述引脚插槽(11)的槽口的表面设有上下两个第一橡胶层(12),所述引脚插槽(11)的末端槽壁上设有第一磁片(13),所述引脚(2)的表面设有第二橡胶层(22),所述引脚(2)的末端设有第二磁片(23)。

2.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述引脚插槽(11)的上下两侧槽壁均向内开设有侧槽(14),每个所述侧槽(14)内部设有活动的压块(15)。

3.如权利要求2所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述压块(15)和侧槽(14)的侧壁之间连接有若干弹簧(16)。

4.如权利要求2所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述压块(15)的表面设有若干圆凸(17),且压块(15)的前端设有光滑的倾斜面。

5.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述引脚(2)的表现设有若干圆槽(21),所述圆槽(21)的个数和圆凸(17)的个数相等,二者之间的位置相对对应,且圆槽(21)和圆凸(17)的尺寸相互匹配。

6.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述第二橡胶层(22)和第一橡胶层(12)的位置相互对应。

7.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述第一磁片(13)和第二磁片(23)的形状及大小均相同,且二者相互正对的磁极互为异性磁极。

8.如权利要求2所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述压块(15)的厚度与弹簧(16)的极限压缩状态下的长度之和小于侧槽(14)的深度。

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