[实用新型]一种改良型mos管防静电结构有效
| 申请号: | 202021285204.1 | 申请日: | 2020-07-03 |
| 公开(公告)号: | CN212115755U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
| 发明(设计)人: | 吕绍明 | 申请(专利权)人: | 深圳市南芯微电子有限公司 |
| 主分类号: | H05F1/00 | 分类号: | H05F1/00 |
| 代理公司: | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人: | 张建斌 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观澜*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改良 mos 静电 结构 | ||
1.一种改良型mos管防静电结构,包括管帽(1)和若干设于管帽(1)上的引脚(2),其特征在于:所述管帽(1)的表面设有防静电膜(10),所述管帽(1)的侧面设有若干引脚插槽(11),所述引脚(2)插设于引脚插槽(11)内部,所述引脚插槽(11)的槽口的表面设有上下两个第一橡胶层(12),所述引脚插槽(11)的末端槽壁上设有第一磁片(13),所述引脚(2)的表面设有第二橡胶层(22),所述引脚(2)的末端设有第二磁片(23)。
2.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述引脚插槽(11)的上下两侧槽壁均向内开设有侧槽(14),每个所述侧槽(14)内部设有活动的压块(15)。
3.如权利要求2所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述压块(15)和侧槽(14)的侧壁之间连接有若干弹簧(16)。
4.如权利要求2所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述压块(15)的表面设有若干圆凸(17),且压块(15)的前端设有光滑的倾斜面。
5.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述引脚(2)的表现设有若干圆槽(21),所述圆槽(21)的个数和圆凸(17)的个数相等,二者之间的位置相对对应,且圆槽(21)和圆凸(17)的尺寸相互匹配。
6.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述第二橡胶层(22)和第一橡胶层(12)的位置相互对应。
7.如权利要求1所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述第一磁片(13)和第二磁片(23)的形状及大小均相同,且二者相互正对的磁极互为异性磁极。
8.如权利要求2所述的改良型mos管防静电结构,其特征在于:所述压块(15)的厚度与弹簧(16)的极限压缩状态下的长度之和小于侧槽(14)的深度。
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