[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 202021265683.0 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN213459775U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;尉尊康;张小娜;王雪;李勇强 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/44;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 郝亮 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
高导热衬底，所述高导热衬底包括钼、铜钼、硅衬底；
电子阻挡层，设置在N电极下方；
钝化层，设置在所述高导热衬底上；
反射镜层，所述反射镜层包括，设置在N电极下方的反射镜层，以及设置在钝化层上方的P面反射镜层；
电流扩散层，所述电流扩散层设置在P面反射镜层上和N型半导体材料层上表面；
外延层结构，所述外延层结构包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述反射镜为全反射镜。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述高导热衬底和所述钝化层之间还设置有金属键合层。
4.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述外延层结构为氮化镓体系的外延层结构。
5.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，所述电流扩散层为ITO层。
6.根据权利要求1所述的一种LED芯片，其特征在于，N电极区域反射镜材料选用绝缘材料形成电子阻挡层结构。
7.根据权利要求6所述的一种LED芯片，其特征在于，所述N电极区域包括粗化结构。
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