[实用新型]一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路

权利要求书

1.一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：其包括具有第一端子(11)和第二端子(12)的母座(1)、与母座(1)连接的无极性对接模块(2)、与无极性对接模块(2)连接的电子开关模块(3)、与电子开关模块(3)连接的电池包(4)以及与电池包(4)连接并用于控制该电子开关模块(3)是否打开的控制模块(5)，该无极性对接模块(2)包括有理想二极管全桥控制器(21)以及与该理想二极管全桥控制器(21)连接并由该理想二极管全桥控制器(21)控制导通与否的第一MOS管(22)、第二MOS管(23)、第三MOS管(24)、第四MOS管(25)，其中，该第一MOS管(22)的S极和第三MOS管(24)的D极均连接第一端子(11)及理想二极管全桥控制器(21)；该第一MOS管(22)的D极和第二MOS管(23)的D极均连接所述电子开关模块(3)及理想二极管全桥控制器(21)；该第三MOS管(24)的S极和第四MOS管(25)的S极均连接地及理想二极管全桥控制器(21)；该第二MOS管(23)的S极和第四MOS管(25)的D极均连接第二端子(12)及理想二极管全桥控制器(21)；第一MOS管(22)、第二MOS管(23)、第三MOS管(24)、第四MOS管(25)的G极均连接理想二极管全桥控制器(21)。

2.根据权利要求1所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述理想二极管全桥控制器(21)的型号为LT4320。

3.根据权利要求1所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述母座(1)上设置有第一磁铁(13)。

4.根据权利要求1所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述第一MOS管(22)、第二MOS管(23)、第三MOS管(24)、第四MOS管(25)均为N型MOS管。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述控制模块(5)包括有控制芯片(51)，该控制芯片(51)多个引脚分别连接一个电阻后连接电池包(4)中每节电池的正极和负极，该控制芯片(51)连接电子开关模块(3)。

6.根据权利要求5所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述控制芯片(51)的型号为S8223CAE-I6T1U。

7.根据权利要求5所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述电子开关模块(3)包括有连接于无极性对接模块(2)与电池包(4)之间的第五MOS管(31)和第六MOS管(32)，该第五MOS管(31)和第六MOS管(32)的G极分别连接一个二极管后连接所述控制模块(5)。

8.根据权利要求5所述的一种低损耗防漏电的无极性磁吸充电电路，其特征在于：所述无极性对接模块(2)与电子开关模块(3)之间连接有充电显示灯模块(6)。