[实用新型]一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管

说明书

本实用新型提供了一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管，由金氧半场效晶体管、达林顿功率管和碳化硅二极管封装而成。碳化硅二极管几乎没有反向恢复时间，可以将电路的损耗降到最低，以解决现有的中大功率电源电路转换效率低的技术问题，适用于高效率的PFC电路，具有极高的经济价值，可应用100KHz以下的频率，拓宽了应用范围与应用场景。

技术领域

本实用新型涉及电子技术技术领域，特别是涉及一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管。

背景技术

绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)，是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点。BJT饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

因为IGBT工作时，其漏极区(P区)将向漂移区(N区)注入少数载流子-空穴，则在漂移区中存储有少数载流子-电荷；当IGBT关断(栅极电压降为0)时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾，关断时间较长。所以IGBT的工作频率较低。其内部加封进去的反向恢复二极管为普通的快速型二极管，存在反向恢复时间，会导致应用时出现反向电流引起发热等功率损耗。

实用新型内容

鉴于上述问题，提出了本实用新型以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管。

为了解决上述问题，本实用新型公开了一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管，由金氧半场效晶体管、达林顿功率管和碳化硅二极管封装而成。

进一步地，所述金氧半场效晶体管具体设置为低压降金氧半场效晶体管。

进一步地，所述金氧半场效晶体管、所述达林顿功率管和所述碳化硅二极管采用标准型形式进行封装。

进一步地，所述金氧半场效晶体管、所述达林顿功率管和所述碳化硅二极管采用TO-247形式进行封装。

本实用新型包括以下优点：碳化硅二极管几乎没有反向恢复时间，可以将电路的损耗降到最低，适用于高效率的PFC电路，具有极高的经济价值，可应用100KHz以下的频率，拓宽了应用范围与应用场景。

附图说明

图1是本实用新型的一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管的结构框图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

本实用新型的核心构思之一在于，提供了一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管，由金氧半场效晶体管、达林顿功率管和碳化硅二极管封装而成。碳化硅二极管几乎没有反向恢复时间，可以将电路的损耗降到最低，以解决现有的中大功率电源电路转换效率低的技术问题，适用于高效率的PFC电路，具有极高的经济价值，可应用100KHz以下的频率，拓宽了应用范围与应用场景。

参照图1，示出了本实用新型的一种碳化硅式绝缘栅双极型晶体管的结构框图，上述碳化硅式绝缘栅双极型晶体管由金氧半场效晶体管(MOSFET)、达林顿功率管(GTR)和碳化硅二极管封装而成。