[实用新型]一种发光二极管

说明书

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，一种发光二极管，包括依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、电流阻挡层和透明导电层，以及第一电极和第二电极，所述第一电极与第一导电型半导体层电性连接，所述第二电极通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接，所述电流阻挡层位于第二电极下方，其特征在于:所述电流阻挡层呈螺旋形。本实用新型设计电流阻挡层为螺旋形，有利于电流的扩散；同时第二电极下表面陷入螺旋形的电流阻挡层的螺旋间隔内，形成凹凸结构，增强电极的附着牢固性，改善电极掉落现象。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种具有电流阻挡层的发光二极管。

背景技术

发光二极管（简称LED）为一利用半导体材料所制作而成的元件，为一种可将电能转换为光能的微细固态光源。由于发光二极管具有体积小、寿命长、驱动电压低、发热量低、耗电量小、反应速度快、无汞污染等环保问题以及单性光发光的特性及优点，且能够配合各种应用设备的轻、薄、以及小型化的需求，因此，已成为日常生活中普及的电子产品。

常规的发光二极管包括依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以及电流阻挡层和覆盖在电流阻挡层表面的透明导电层，P电极则蒸镀于透明导电层表面。常规结构的LED中，P电极与透明导电层接触，而由于两者之间的粘附性较差，在LED打线或者使用过程中，常易出现掉电极的现象。

发明内容

为了改善电流拥挤、电极掉落以及促进电流扩展，本实用新型提供了如下的解决方案：

一种发光二极管，包括依次层叠的衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层、电流阻挡层和透明导电层，以及第一电极和第二电极，所述第一电极与第一导电型半导体层电性连接，所述第二电极通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接，所述电流阻挡层位于第二电极下方，其特征在于: 所述电流阻挡层呈螺旋形。

优选的，所述电流阻挡层由中心向边缘，螺旋间隔逐渐增大或者螺旋间隔相等。

优选的，所述电流阻挡层最外圈不超过第二电极外缘或者超过第二电极外缘。

优选的，所述螺旋间隔相同，间隔距离范围为3~10微米。

优选的，所述螺旋间隔圈数≥3圈。

优选的，所述电流阻挡层厚度范围为1000~2500埃。

优选的，所述电流阻挡层螺旋间隔内不填充透明导电层，相邻螺旋间隔之间形成第一凹槽，第二电极的下表面陷入第一凹槽内形成凹凸结构。

优选的，所述电流阻挡层螺旋间隔内填充透明导电层，透明导电层的高度大于电流阻挡层的高度，在电流阻挡层上表面形成第二凹槽，第二电极下表面陷入第二凹槽内形成凹凸结构。

优选的，所述电流阻挡层螺旋间隔内填充透明导电层,所述透明导电层的高度小于电流阻挡层的高度，在螺旋间隔内的透明导电层上表面形成第三凹槽，第二电极下表面陷入第三凹槽内形成凹凸结构。

优选的，所述电流阻挡层为绝缘材料层，包括二氧化硅、氮化硅、碳化硅或者分布布拉格反射层。

优选的，所述透明导电层包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化镍(NiO)、镉锡氧化物(CTO)、ZnO:Al、ZnGa₂O₄、SnO₂:Sb、Ga₂O₃:Sn、AgInO₂:Sn、In₂O₃:Zn、CuAlO₂、LaCuOS、CuGaO₂与SrCu₂O₂中的一种或者几种的组合。

本实用新型至少具有以下有益效果：