[实用新型]一种芯片、芯片阵列结构及封装模块有效
| 申请号: | 202021222411.2 | 申请日: | 2020-06-29 |
| 公开(公告)号: | CN212625592U | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 杨宁;谢健兴;张雪;袁毅凯 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L23/367 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 528000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 阵列 结构 封装 模块 | ||
1.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括位于芯片表面同一侧的源极区和栅极区;其中,所述源极区与所述栅极区之间设置有一阻隔层,所述阻隔层凸出于所述源极区和所述栅极区的表面。
2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述阻隔层为光刻胶层、PDMS层或硅胶层。
3.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述阻隔层凸出于所述源极区和所述栅极区表面的高度为0.1毫米至1毫米。
4.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述阻隔层与所述源极区和/或所述栅极区之间具有间隙。
5.根据权利要求4所述的芯片,其特征在于,所述阻隔层的宽度方向平行于所述芯片表面,且所述宽度方向自所述源极区向所述栅极区延伸,所述阻隔层的宽度至少占所述栅极区和所述源极区之间距离的一半。
6.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述阻隔层凸出于所述芯片表面的高度与所述阻隔层的宽度的比值不大于3。
7.根据权利要求1或2所述的芯片,其特征在于,所述阻隔层的长度至少为所述栅极区长度的1.5倍,且所述阻隔层的长度不超过所述芯片的长度。
8.一种芯片阵列结构,其特征在于,包括至少一个如权利要求1至7任一项所述的芯片。
9.根据权利要求8所述的芯片阵列结构,其特征在于,所述芯片阵列结构包括两个以上所述芯片,各所述芯片呈矩阵式排列,同行或同列的各所述芯片被一个阻隔层整体贯穿。
10.一种封装模块,其特征在于,包括表面设置有导电层的第一基板和第二基板,以及至少一个如权利要1至7任一项所述的芯片,所述芯片以固晶工艺连接于所述第一基板和所述第二基板的导电层,且所述芯片位于所述第一基板和第二基板之间;其中,所述第一基板和第二基板上分别设置有与所述芯片数量相同的固晶区,至少一个所述固晶区内的导电层开设有与所述阻隔层嵌套配合的沟道。
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