[实用新型]MOS管保护电路与电子装置

权利要求书

1.一种MOS管保护电路，其特征在于，包括：

光源；

第一MOS管，与所述光源连接；

电流信号采集单元，与所述第一MOS管连接，用于采集流过所述第一MOS管的电流信号；

控制单元，分别与所述电流信号采集单元和所述第一MOS管连接，用于控制所述MOS管的开启与关断，在所述光源发生短路的情况下，所述控制单元控制所述第一MOS管关断。

2.根据权利要求1所述的MOS管保护电路，其特征在于，所述电流信号采集单元包括采样电阻模块，所述采样电阻模块的第一端接地，所述采样电阻模块的第二端与所述MOS管连接。

3.根据权利要求2所述的MOS管保护电路，其特征在于，所述控制单元具有第一电源端和控制信号端，所述控制单元还包括驱动电阻模块、开关器件、单相可控硅和限流电阻，所述驱动电阻模块的第一端与所述第一电源端连接，所述驱动电阻模块的第二端分别与所述开关器件的第二端以及所述第一MOS管的第一端连接，所述开关器件的第三端接地，所述开关器件的第一端与所述控制信号端连接，所述单相可控硅的第一端与所述驱动电阻模块的第二端连接，所述单相可控硅的第二端接地，所述单相可控硅的第三端与所述限流电阻的第一端连接，所述限流电阻的第二端与所述采样电阻模块的第二端连接。

4.根据权利要求3所述的MOS管保护电路，其特征在于，所述开关器件包括MOS管和/或BJT。

5.根据权利要求1所述的MOS管保护电路，其特征在于，MOS管保护电路还具有第二电源端，所述第一MOS管为第一N沟道型MOS管，所述光源的正极与所述第二电源端连接，所述光源的负极与所述第一N沟道型MOS管的漏极连接，所述电流信号采集单元的第二端与所述第一N沟道型MOS管的源极连接，所述电流信号采集单元的第一端接地，所述第一N沟道型MOS管的栅极与所述控制单元连接。

6.根据权利要求3所述的MOS管保护电路，其特征在于，第一MOS管为第一N沟道型MOS管，所述开关器件为第二N沟道型MOS管，所述驱动电阻模块的第一端与第一电源端连接，所述驱动电阻模块的第二端分别与所述第二N沟道型MOS管的漏极以及所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极与所述采样电阻模块的第二端连接，所述第一MOS管的漏极与所述光源的负极连接，所述第二N沟道型MOS管的源极接地，所述第二N沟道型MOS管的栅极与所述控制信号端连接，所述单相可控硅的第一端与所述驱动电阻模块的第二端连接，所述单相可控硅的第二端接地，所述单相可控硅的第三端与所述限流电阻的第一端连接，所述限流电阻的第二端与所述采样电阻模块的第二端连接。

7.根据权利要求3、4或6所述的MOS管保护电路，其特征在于，所述控制信号端为PWM控制信号端。

8.根据权利要求2所述的MOS管保护电路，其特征在于，所述采样电阻模块包括至少一个采样电阻。

9.根据权利要求3或6所述的MOS管保护电路，其特征在于，所述驱动电阻模块包括至少一个驱动电阻。

10.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求1至9中任一项所述的MOS管保护电路。